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美光新世代DDR5，首採EUV微影1γ製程（美光提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體大廠美光（Micron）推出首度採用極紫外光（EUV）微影技術的1γ（1-gamma；第六代10奈米級節點） 製程新款DDR5 DRAM，目前已開始向NB與伺服器製造業者提供樣品供驗證，強調將比 1β（1-beta）效能更高、功耗更低且位元密度更高的三大特點，將支援資料、手機、AI PC、智慧車和遊戲等五大應用。
美光表示，隨著資料中心和邊緣裝置紛紛導入 AI，記憶體的需求已飆升至史上新高。美光向 1γ DRAM 節點的邁進，有助於客戶克服亟需解決的關鍵挑戰。上述新製程將在日本廣島與台灣導入量產。
美光指出，1γ DRAM 節點有助增強效能，可支援從資料中心到邊緣裝置等各種記憶體產品的運算擴充，從而滿足未來 AI 工作負載的要求。也能節省能源，因採用下一代高介電質金屬閘極 CMOS 技術，並搭配設計最佳化後，可節省功耗超過20%，具更好散熱特性。與前一代製程相比，每片晶圓的位元產出量多出 30% 以上3，能有效擴大記憶體供應。
美光表示，1γ節點將被全面整合至美光的記憶體產品陣容內，包括1γ DDR5 記憶體解決方案可使資料中心的效能提升達15%，提升能源效率並有助於持續擴充伺服器效能，使資料中心在未來的機架級電源和散熱設計中進行最佳化。
此外，邊緣 AI 採用美光1γ低功耗 DRAM 解決方案，預計可提供更佳的省電效能與更高的頻寬，進而強化 Edge AI 解決方案的使用者體驗。在AI PC 方面，美光預估1γ DDR5 SODIMMs 可提高效能並降低20%能耗，進而延長電池續航力及改善筆電的使用者體驗。
行動裝置方面，1γ LPDDR5X可提供卓越的 AI體驗，延續美光在行動裝置產業的領導地位。汽車方面，1γ LPDDR5X 記憶體有效擴大了容量、使用壽命與效能表現，資料傳輸速度可達9600MT/秒。
AMD伺服器平台解決方案工程部門企業副總裁Amit Goel表示，看到美光在 1γ DRAM 節點方面的進展，並已開始對美光 1γ DDR5 記憶體進行驗證。AMD將致力繼續以適用於資料中心的下一代 AMD EPYC 產品及產品組合內的消費級處理器來推動運算生態系統發展，與美光保持密切合作。
Intel 記憶體與 IO 技術副總裁暨總經理Dimitrios Ziakas指出，美光 1γ DRAM 節點的進展為他們伺服器和AI PC帶來穩固的功耗和能量密度改善，看到美光在 DRAM 技術上的持續創新，同時也期待其技術為伺服器系統帶來效能與PC 電池壽命提升。 Intel 正為美光 1γ DDR5 記憶體樣本進行嚴格的伺服器驗證流程，期待為客戶提供具最高品質伺服器系統。
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