晴時多雲

台半導體資本支出年增75% 冠全球

2021/11/05 05:30

2021年主要國家半導體資本支出年增率

中國遭美管制成長殿後 今年僅增1%

〔記者洪友芳/新竹報導〕全球半導體業晶片產能供不應求,包括台積電、英特爾、三星、格芯與聯電等半導體大廠,今年資本支出均較去年成長。工研院昨指出,今年全球半導體主要地區的資本支出以台灣年增七十五%增幅最大;中國因受美國管制半導體設備的影響,中芯國際在先進製程設備取得難度增加,導致今年資本支出負成長二十五%,蓋廠速度追不上投資量產腳步,中國今年整體半導體資本支出僅年增一%。

台今年IC產值4.1兆 成長25.9%創新高

工研院昨舉行「眺望︱二○二二產業發展趨勢研討會」半導體場次,四度上修今年台灣IC產值達新台幣四.一兆元,年增率二十五.九%高於全球平均,並創歷史新高。

台灣半導體資本支出也領先,晶圓代工龍頭台積電積極投資擴產,今年資本支出達三百億美元,聯電、力積電、日月光、力成、南亞科、華邦電、旺宏電子等也投資擴產,帶動台灣半導體今年資本支出比去年成長七十五%,高於日本、北美、韓國與中國。

工研院產科國際所資深分析師劉美君引用研調機構IC Insights統計指出,包含購買設備及製程升級等資本支出,去年全球半導體資本支出共一一三六億美元,今年達一四八二億美元,台灣在台積電大手筆投資帶動下,成長幅度最高;中國雖很多廠商投資蓋晶圓廠,但資本支出增加有限。

她表示,中國最大晶圓代工廠中芯國際今年資本支出四十三億美元,較去年的五十七億美元減少二十五%,主因去年基期較高;而且,美國對中國的管制仍未放鬆,使得中芯在先進製程設備的取得難度增加,擴產只能以成熟製程為主。另外,華虹集團投資額也較去年負成長六%,其他公司投資金額很小,影響中國半導體今年資本支出增幅。

工研院產科國際所產業分析師黃慧修說,中芯在上海、北京、深圳均投資建新廠,因中芯國際已被美國列為貿易管制對象,擴產所需設備都須獲美國申請許可,擴建新廠能否順利進入量產仍有變數。

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