2021年主要國家半導體資本支出年增率
中國遭美管制成長殿後 今年僅增1％
〔記者洪友芳／新竹報導〕全球半導體業晶片產能供不應求，包括台積電、英特爾、三星、格芯與聯電等半導體大廠，今年資本支出均較去年成長。工研院昨指出，今年全球半導體主要地區的資本支出以台灣年增七十五％增幅最大；中國因受美國管制半導體設備的影響，中芯國際在先進製程設備取得難度增加，導致今年資本支出負成長二十五％，蓋廠速度追不上投資量產腳步，中國今年整體半導體資本支出僅年增一％。
台今年IC產值4.1兆 成長25.9％創新高
工研院昨舉行「眺望︱二○二二產業發展趨勢研討會」半導體場次，四度上修今年台灣IC產值達新台幣四．一兆元，年增率二十五．九％高於全球平均，並創歷史新高。
台灣半導體資本支出也領先，晶圓代工龍頭台積電積極投資擴產，今年資本支出達三百億美元，聯電、力積電、日月光、力成、南亞科、華邦電、旺宏電子等也投資擴產，帶動台灣半導體今年資本支出比去年成長七十五％，高於日本、北美、韓國與中國。
工研院產科國際所資深分析師劉美君引用研調機構IC Insights統計指出，包含購買設備及製程升級等資本支出，去年全球半導體資本支出共一一三六億美元，今年達一四八二億美元，台灣在台積電大手筆投資帶動下，成長幅度最高；中國雖很多廠商投資蓋晶圓廠，但資本支出增加有限。
她表示，中國最大晶圓代工廠中芯國際今年資本支出四十三億美元，較去年的五十七億美元減少二十五％，主因去年基期較高；而且，美國對中國的管制仍未放鬆，使得中芯在先進製程設備的取得難度增加，擴產只能以成熟製程為主。另外，華虹集團投資額也較去年負成長六％，其他公司投資金額很小，影響中國半導體今年資本支出增幅。
工研院產科國際所產業分析師黃慧修說，中芯在上海、北京、深圳均投資建新廠，因中芯國際已被美國列為貿易管制對象，擴產所需設備都須獲美國申請許可，擴建新廠能否順利進入量產仍有變數。