晴時多雲

明年DRAM產值 估微增至915.4億美元

2021/11/05 05:30

研調報告指出,明年DRAM產值微增到915.4億美元。(廠商提供)

〔記者洪友芳/新竹報導〕研調機構TrendForce昨發布報告指出,二○二二年DRAM供給位元成長率約十八.六%,需求位元成長率為十七.一%,預估明年DRAM產業將由供不應求轉為供過於求;但DRAM因三大廠寡占市場型態,明年下半年價格可望翻轉為持平或上漲,帶動DRAM總產值將達九一五.四億美元、年增○.三%。

TrendForce以明年各季度的供過於求比率做為預測基礎,預期DRAM平均銷售單價將年減十五%,價格下滑在上半年較為明顯;下半年起受惠於DDR5的滲透率提升與旺季需求效應帶動,均價跌幅將收斂,扭轉跌價可期,不排除有持平或漲價的可能性。

儲存型快閃記憶體(NAND Flash)方面,TrendForce預估,二○二二年供給位元年增率約三十一.八%,需求位元年增率三十.八%;明年NAND Flash價格受供過於求影響將下滑,因NAND Flash屬完全競爭市場,均價下滑的幅度將較DRAM更加明顯,在層數結構的堆疊持續推進,供給位元成長率也高,預估二○二二年NAND Flash總產值將達七四一.九億美元、年增七.四%。

TrendForce表示,三星、SK海力士、美光三大DRAM廠在產能擴張較有紀律,長期均價的波動性較小,同時二十奈米以下製程微縮已逐漸達到物理極限,使年度位元成長有限;NAND Flash廠商較多家,在產能擴張的規劃較不穩定,加上產品的層數仍能持續提升,長期均價波動性較大,進而呈現DRAM產值成長幅度不及NAND Flash的態勢,但獲利表現則相反。

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