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摩根士丹利指出，因3大廠庫存水位高達近3到5個月之多，需求仍不確定，記憶體供需存在「空前鴻溝」，預估日韓衝突將不會對價格帶來長期影響。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕日韓貿易戰引發DRAM、儲存快閃記憶體（NAND Flash）現貨價持續上漲，摩根士丹利指出，因3大廠庫存水位高達近3到5個月之多，需求仍不確定，記憶體供需存在「空前鴻溝」，預估日韓衝突將不會對價格帶來長期影響。
7月4日日本對3項半導體、面板所需原料實施出口管制，需要申請許可才能輸往南韓。據了解，管制實施以來，日商對三星或SK海力士的出口申請，均未獲日本政府核准。南韓三星、SK海力士在記憶體市佔率逾7成，引發業界疑慮生產恐斷鏈，帶動價格上漲。
摩根士丹利表示，記憶體問題之一是庫存水位仍高。數據顯示，美光庫存達151天，比過去5年平均值高逾60%。三星庫存水位為83 天、SK海力士為105天，均遠高於去年同期。
另1問題是需求仍不確定， 摩根士丹利指出，第1季雲端服務商的需求大減，第2季也持續。記憶體供需存在「空前鴻溝」，預估將會持續壓抑該產業，日韓衝突不會對DRAM價格帶來長期影響，DRAM現貨價漲幅也難以持續。
TrendForce記憶體儲存研究（DRAMeXchange）也指出，目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上並非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長，短期結構性供需反轉的可能性低。近期雖傳現貨報價上漲，但現貨市場占整體DRAM市場僅不到10%水準，中長期產業的供需態勢仍需關注佔比超過9成的合約市場。
TrendForce分析指出，DRAM價格已歷經連續3個季度快速下滑，下游模組廠的庫存水位普遍偏低，當前確實有觀察到部分模組廠利用該原物料事件，開出上揚的價格或表示將停止生產。
目前整體終端需求仍很疲弱，DRAM供應商的庫存水準普遍高於3個月，導致第3季PC、伺服器記憶體及行動式記憶體的合約價仍持續走跌，暫時未見反轉向上的跡象。DRAM市況受此原物料事件而出現結構性供需反轉的可能性低。
NAND Flash市場行情受到日本材料出口審查趨嚴，東芝停電事件的影響，預計7月起各供應商報價將浮現漲勢，但考量供應商普遍備有2到3個月的庫存水位，TrendForce認為，NAND Flash價格短期將出現上揚，但長期仍有跌價壓力。
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