〔編譯魏國金／台北報導〕隨著華為18日正式宣佈，以其自行研發的高頻寬記憶體（HBM）推出人工智慧（AI）晶片，韓媒BusinessKorea與韓國先驅報指出，中國半導體的自主努力似已達到轉折點，並已縮小與三星及SK海力士在HBM領域的差距，升高韓企的壓力。
華為副董事長兼輪值董事長徐直軍18日在「全聯接大會2025」上強調，未來3年，該公司規劃的多款昇騰晶片都將採用華為自己研發的HBM，他說，每1年將推出1款新晶片，而每款晶片算力倍增。
他指出，「基於中國可獲得的晶片製造工藝，華為努力打造『超節點+集群』算力解決方案，來滿足持續增長的算力需求」。
BusinessKorea報導，在美中首次貿易戰中因美國出口管制，險些倒閉的華為，如今正成為中國半導體自主努力的帶頭先鋒。華為首度公佈3年AI發展藍圖，無疑是向主導AI晶片市場的輝達發出挑戰。
在此之前，華為HBM的採購遭遇美國管制瓶頸，致使其在AI晶片的生產和供應陷入困境。眾所周知，華為最新款昇騰910C所採用的HBM是在出口管制升高前，向三星電子等外國公司採購的較舊款產品。
韓國先驅報報導，不過中國半導體自主化的努力已見成效。中國最重要的DRAM供應商長鑫存儲準備明年量產第4代高頻寬記憶體HBM3，雖然其技術落後三星與SK海力士當前的產品，尤其是輝達旗艦AI晶片所採用的HBM3E系列，但技術差距正以比預期還快的速度縮小。
業界專家警告，如果該趨勢持續，韓國記憶體製造商的領先優勢或將遭侵蝕。
半導體研究機構SemiAnalysis亦指出，長鑫的技術僅落後SK海力士、三星與美光幾年，儘管其目前的HBM出貨量不高，但若透過挖角與加大自主研發，並經第三方取得關鍵設備，比如從日本供應商採購矽穿孔（TSV）等生產HBM的關鍵先進設備，將迎頭追趕對手企業。
該分析指出，如果長鑫持續囤積關鍵設備，並大幅提高良率，長鑫有望2026年就量產HBM3E。該報告說，長鑫一直被預期將列入美國政府的實體清單，但最終竟落空，雖然HBM是美國政府近年管制措施的重點項目，但拜登政府未能將中國HBM領導企業納入管制名單，川普政府需立即解決這項失策。
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