晴時多雲

半導體業異質整合 MRAM有前景

2019/11/27 05:30

工研院電光所所長吳志毅。(記者洪友芳攝)

〔記者洪友芳/新竹報導〕工研院電光系統所所長吳志毅表示,5G時代來臨,半導體業走向異質整合,不同技術整合性越來越強,像是磁性的MRAM(磁阻式隨機存取記憶體)對台灣廠商而言,就很有發展前景。

工研院研發前瞻性技術「自旋磁性記憶體」,獲多家半導體大廠青睞合作。(記者洪友芳攝)

奈秒讀寫 比Flash快千倍

工研院電光所表示,MRAM的讀寫速度可達奈秒(nano second)等級,比大家所熟知的Flash(快閃記憶體),速度快上百倍、甚至千倍。MRAM的低電壓操作特性,容易與先進製程整合,非常適合用在現在高階處理器中,各界看好MRAM有機會取代微控制器內部的嵌入式記憶體如DRAM、SRAM、Flash,成為嵌入式記憶體界的共主,但技術上還有待克服。

台積電(2330)早在2002年就對外宣布跟工研院簽訂MRAM合作發展計畫,並在製程導入在客戶的產品上,例如今年台積電宣布,以40奈米超低功耗技術為半導體研發廠商Ambiq生產Apollo3 Blue無線系統單晶片,締造領先全球的最佳功耗表現。

吳志毅表示,5G時代來臨,半導體業技術整合度會越來越強,邏輯IC與記憶體將異質整合,過去記憶體常聽到的DRAM,經過長久的發展,全球三大廠韓國三星、海力士、美光已跑在前面,投資又大,台灣要追不容易,只有中國還在砸錢投資。相較之下,MRAM還在發展中,差距不大,且有些產品可以取代DRAM,對台灣廠商而言,很具有發展前景。

他說,工研院早在2002年就投入MRAM相關開發,建立磁性半導體元件研發團隊,目前團隊約30人、累積上百件專利,國內外合作廠商約3、4家,MRAM「台積電可以做、聯電(2303)可以做,其他廠商也可以做」。邏輯代工整合記憶體的製程,磁性記憶體相對整合較DRAM容易,目前工研院團隊正研發第三代技術,性能更省電與壽命更久,第一、第二代已有合作廠商導入量產。

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