工研院電光所所長吳志毅。（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕工研院電光系統所所長吳志毅表示，5G時代來臨，半導體業走向異質整合，不同技術整合性越來越強，像是磁性的MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）對台灣廠商而言，就很有發展前景。
工研院研發前瞻性技術「自旋磁性記憶體」，獲多家半導體大廠青睞合作。（記者洪友芳攝）
奈秒讀寫 比Flash快千倍
工研院電光所表示，MRAM的讀寫速度可達奈秒（nano second）等級，比大家所熟知的Flash（快閃記憶體），速度快上百倍、甚至千倍。MRAM的低電壓操作特性，容易與先進製程整合，非常適合用在現在高階處理器中，各界看好MRAM有機會取代微控制器內部的嵌入式記憶體如DRAM、SRAM、Flash，成為嵌入式記憶體界的共主，但技術上還有待克服。
台積電（2330）早在2002年就對外宣布跟工研院簽訂MRAM合作發展計畫，並在製程導入在客戶的產品上，例如今年台積電宣布，以40奈米超低功耗技術為半導體研發廠商Ambiq生產Apollo3 Blue無線系統單晶片，締造領先全球的最佳功耗表現。
吳志毅表示，5G時代來臨，半導體業技術整合度會越來越強，邏輯IC與記憶體將異質整合，過去記憶體常聽到的DRAM，經過長久的發展，全球三大廠韓國三星、海力士、美光已跑在前面，投資又大，台灣要追不容易，只有中國還在砸錢投資。相較之下，MRAM還在發展中，差距不大，且有些產品可以取代DRAM，對台灣廠商而言，很具有發展前景。
他說，工研院早在2002年就投入MRAM相關開發，建立磁性半導體元件研發團隊，目前團隊約30人、累積上百件專利，國內外合作廠商約3、4家，MRAM「台積電可以做、聯電（2303）可以做，其他廠商也可以做」。邏輯代工整合記憶體的製程，磁性記憶體相對整合較DRAM容易，目前工研院團隊正研發第三代技術，性能更省電與壽命更久，第一、第二代已有合作廠商導入量產。