晴時多雲

半導體設備投資 三星今年砸7830億

2017/11/19 06:00

韓聯社引述研調機構IC Insights報告估算,南韓三星電子今年半導體設備投資創新高、達260億美元(約7830億台幣),占全球投資總額逾兩成,且高於英特爾(Intel)、台積電投資總和。(法新社檔案照)

高於英特爾、台積電總和

〔編譯楊芙宜/綜合報導〕韓聯社引述研調機構IC Insights報告估算,南韓三星電子今年半導體設備投資創新高、達二六○億美元(約七八三○億台幣),占全球投資總額逾兩成,且高於英特爾(Intel)、台積電投資總和。不過,晶片業競爭日益白熱化,三星大規模投資可能對半導體業帶來「供過於求」的負面影響,3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash)可能首當其衝。

3D NAND 恐供過於求

半導體市場競爭加劇,晶片大廠從產品、技術到資本支出等一路較勁。IC Insights研究報告指出,二○一七年全球半導體設備總投資將達九○八億美元,較去年成長卅五%;其中,三星今年度設備投資預估二六○億美元,約占全球半導體設備投資總額廿八.六%,創卅七年來全球半導體業最高紀錄,相較三星去年的一一三億美元投資,今年資本支出翻倍。

報告指出,三星今年投資在3D NAND快閃記憶體晶片將達一四○億美元,以擴張平澤市產能;七十億美元投資在DRAM(動態隨機存取記憶體)晶片的製程轉移;以及五十億美元投資在晶圓代工和其他半導體業務,以提升十奈米製程能力。

報告分析,三星擴大資本支出對全球半導體產業的影響,包括:將造成3D NAND快閃記憶體晶片供過於求,由於三星可能對南韓SK海力士、日本東芝、美國的美光和英特爾等對手帶來壓力,促使同業競相擴大在特定領域的設備投資,以提升產能;此外,三星擴大半導體設備投資,也可能遏阻中國半導體新創公司進軍3D NAND快閃記憶體或DRAM晶片市場的希望,若中國業者無法形成一家大規模合資企業,將難以和三星等半導體領先業者競爭。

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