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中國晶圓代工廠積極擴成熟製程，估2027年占比達33%（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕研調機構集邦科技（TrendForce）統計指出，中國致力推動在地化生產、IC國產化等政策與補貼，擴產最積極，預估中國成熟製程（28奈米及以上）產能到2027年占比，將從今年的29%成長至33%，台灣成熟製程占比則會從49%收斂至42%。
TrendForce並指出，2023~2027年全球晶圓代工成熟製程及先進製程（16奈米及以下）產能比重約維持在7成與3成之比。中國擴產成熟製程以中芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）擴產最為積極。中國透過積極招攬海外及境內IC設計業者投產或研發新品，目的為提高本土化生產的比例，但大幅擴產的結果，可能造成全球成熟製程產能過剩，且隨之而來的將會是價格戰。
TrendForce認為，中國成熟製程產能陸續開出，針對驅動IC（Driver IC）、影像感測器（CIS/ISP）、功率元件（Power discrete）等本土化生產趨勢將日漸明確，具備相似製程平台及產能的二、三線晶圓代工業者，可能面臨客戶流失風險與價格壓力，如聯電、力積電與世界先進等以特殊製程產品為大宗的台系業者將首當其衝，技術進展和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
就產品別而言，TrendForce表示，驅動IC主要採用高壓製程，各家業者目前聚焦40/28奈米製程開發，技術較領先的業者是聯電，其次是格羅方德，中芯國際的28奈米、合肥晶合的40奈米製程，將先後於今年第4季、明年下半年進入量產階段，這對力積電、僅8吋廠的世界先進、南韓東部高科短期內將首當其衝；對聯電、格羅方德中長期也將造成影響。
影像感測器（CIS）/ISP）方面，TrendForce表示，3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程大致以45/40奈米為分水嶺，邏輯層ISP製程將持續往更先進節點發展；CIS感光層與FSI/BSI CIS則以65/55奈米及以上為主流。目前技術領先業者以台積電、聯電、三星為主，但中國業者中芯國際、合肥晶合集成緊追其後，除持續追趕製程差距，產能也受惠中國智慧型手機品牌OPPO、Vivo、小米（Xiaomi）等出海口支撐，加上中國CIS業者OmniVision、Galaxycore與SmartSens因應政府政策，陸續將訂單移回中國進行投產支撐。
Power Discrete（功率元件）方面，TrendForce分析，主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產品，世界先進、HHGrace深耕Power Discrete製程已久，製程平台及車規驗證覆蓋完整性皆較其他同業更高。受惠於中國電動車補貼政策以及鋪設太陽能相關基礎建設，中國晶圓代工業者據此獲得更多切入機會，包含主流代工廠HHGrace、中芯國際、合肥晶合集成、CanSemi在內的業者，加上中國本土小型的Power Discrete IDM、晶圓廠如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete競爭行列。中國產能同時大量開出，將加劇全球Power Discrete代工競爭壓力，影響性不僅限於中國本土同業的價格戰，也可能分食台系業者的訂單及客戶。
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