〔編譯魏國金／台北報導〕被譽為「高頻寬記憶體（HBM）之父」的南韓科學技術院（KAIST）電機系教授金正浩（Kim Jeong-ho）預測，新一代NAND快閃記憶體「高頻寬快閃記憶體」（HBF）將於明年商業化，且需求量將於10年內超越HBM。
韓國《BusinessKorea》5日報導，金正浩在3日一場會議中指出，「隨著人工智慧（AI）的思考與推理能力變得重要，以及文字轉語音介面的出現，所需的數據量勢必爆炸性成長」。
他說，如果中央處理器（CPU）是個人電腦時代的核心、低功耗是智慧手機時代的關鍵，那麼AI時代的核心就是記憶體，他補充，「HBM決定速度、HBF決定容量」，HBF是透過垂直堆疊NAND快閃記憶體，大幅增加容量，如同HBM，其主要用於長期儲存。
為此，近期NAND快閃記憶體的重要性日益升高，隨著AI代理服務的擴展，作為長期記憶體的「鍵值快取」（KV cache）的作用加劇，過去HBM承擔此作用，但越來越多觀點認為NAND快閃記憶體更適合此角色。
金正浩說，「HBM的功能就像書架，而HBF則是圖書館，從書架上，你可以立即抽出你要的書本閱讀，而從圖書館，你可以同時閱覽更多書本，即使速度稍緩」。
他預測，光靠HBM，無法因應記憶體的爆炸性需求，因此半導體業勢必採用HBF，目前的結構是2個GPU垂直連結，並將HBM附著於GPU旁，以處理運算，未來HBM與HBF將附著一起，容量限制也將被消除。
他指出，「當以記憶體為中心的運算架構（亦即將中央處理器（CPU）、GPU與記憶體有機結合於一個基礎晶片上）完成，所需的HBF將近一步增加，HBF的需求將從2038年起超越HBM」。
他說，「我們正與三星電子、SK海力士、SanDisk與其他公司進行HBF有關的技術交流，並與超微、Google與輝達等潛在客戶維持聯繫」。
目前，三星電子、SK海力士與SanDisk等全球大廠正加速HBF的研發。金正浩認為，韓廠佔據優勢，有別於SanDisk僅聚焦於NAND快閃記憶體，三星電子與SK海力士同時具備HBM與封裝能力。
他說，「在經歷結構性轉變之際，韓國將在未來10至20年引領AI電腦發展，而HBF正是這項變革的基石」。尤其是SK海力士，明年有望量產HBF。
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