〔編譯魏國金／台北報導〕韓國記憶體巨頭SK海力士攜手台積電，已完成第6代高頻寬記憶體（HBM4）的開發，相較前1代的HBM3E，功率效率提升40％。SK海力士12日宣佈，已建立全球第1個HBM4量產系統。
SK海力士指出，「我們已成功開發將驅動新AI時代的HBM4，並在此技術成就的基礎上，我們建立了全球第1個HBM4量產系統。我們再一次展現我們的AI記憶體技術在全球市場上的領導地位」。
負責HBM4研發的SK海力士副總裁趙柱煥（音譯）強調，「HBM4的研發完成將是業界的新里程碑，我們將確保在AI記憶體市場的競爭優勢，並透過及時提供能滿足客戶在性能、能源效率與可靠性需求的產品，實現快速上市」。
HBM是高附加價值、高效能產品，相較於現有的DRAM，HBM透過垂直連接多個DRAM，大幅改善資料處理的速度。HBM的開發順序為第1代HBM、第2代HBM2、第3代HBM2E、第4代HBM3、第5代HBM3E與第6代HBM4。
SK海力士在開發號稱「改變遊戲規則」的HBM4上，與台積電合作，由台積電生產基礎晶片，並將DRAM堆疊其上。
CNBC報導，聚焦半導體的亞洲私募投資公司TriOrient副總裁奈斯泰德（Dan Nystedt）說，HBM4預計成為輝達新一代Rubin架構所需的主要AI記憶體晶片，他說，「SK海力士是輝達關鍵供應商，該宣佈顯示其仍遙遙領先對手（三星與鎂光）」。
SK海力士12日股價飆逾7%，創25年最高點，今年迄今其股價已漲近90%。
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