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碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可取代部分矽晶圓

2020/02/20 05:30

碳化矽晶圓片。(記者張慧雯攝)

碳化矽(SiC)是第三代半導體材料,具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和寬能隙能等特性,可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化,以及抗輻射等惡劣條件的新要求,是安定度非常高的化合物半導體。

至於應用面,以碳化矽製成的碳化矽晶圓(片)在效能上比目前矽晶圓表現更佳,多應用在高壓高速產品,如高鐵、風力發電系統等重電設施,但未來在自駕車以及電動車的趨勢下,碳化矽晶圓的高散熱優勢,即可取代部分矽晶圓,成為未來的發展趨勢。(記者張慧雯)

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