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碳化矽晶圓片。（記者張慧雯攝）
碳化矽（SiC）是第三代半導體材料，具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和寬能隙能等特性，可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化，以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是安定度非常高的化合物半導體。
至於應用面，以碳化矽製成的碳化矽晶圓（片）在效能上比目前矽晶圓表現更佳，多應用在高壓高速產品，如高鐵、風力發電系統等重電設施，但未來在自駕車以及電動車的趨勢下，碳化矽晶圓的高散熱優勢，即可取代部分矽晶圓，成為未來的發展趨勢。（記者張慧雯）
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