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恩智浦啟用美國境內最先進的射頻氮化鎵晶圓廠（恩智浦提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕恩智浦半導體（NXP ）宣佈正式啟用位於美國亞利桑那州錢德勒（Chandler）的6吋射頻氮化鎵（GaN）晶圓廠，此為美國境內專注於5G射頻功率放大器的最先進晶圓廠。恩智浦表示，這座全新氮化鎵晶圓廠已通過認證，首批產品將持續推出上市，預計2020年底將達到產能滿載。
恩智浦指出，此全新工廠結合恩智浦射頻功率領導者的專業與大規模量產技術，代表實現創新，有助支援5G基地台與先進通訊基礎設施在工業、航空航太和國防市場的擴展。
恩智浦半導體總裁暨執行長Kurt Sievers在演講中表示，今日象徵著恩智浦的重要里程碑。透過在亞利桑那州建立此先進廠房與吸引關鍵人才，讓恩智浦能夠更聚焦於發展氮化鎵技術，將其作為推動下1代5G基地台基礎建設的一部分。
隨著5G的發展，射頻解決方案中每個天線所需的功率密度呈指數級增長，但仍需保持相同的主機殼尺寸，並降低功耗。氮化鎵功率電晶體已成為滿足這些嚴格要求的新黃金標準，能夠大幅提高功率密度和效率。
恩智浦擁有近20年的氮化鎵開發專業知識和廣泛的無線通訊產業知識，將使其引領下1波5G蜂巢擴展浪潮。恩智浦已針對氮化鎵技術進行深度最佳化，改善半導體中的電子陷阱（electron trapping）問題，藉由一流的線性度提供高效率和增益，致力為恩智浦的客戶生產最高品質的氮化鎵裝置。
恩智浦長期客戶愛立信（Ericsson）網路開發部主管Joakim Sorelius表示：「我們致力提供產業領先的產品，為客戶提供最大價值，而功率放大器在無線電技術中發揮重要的作用。與愛立信近期在美投資類似，我們很高興看到恩智浦在半導體製程開發方面進行投資，並將繼續致力為未來的高要求無線電網路提升射頻系統效能。」
恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理Paul Hart表示，恩智浦團隊向來致力於建造世界上最先進的射頻氮化鎵晶圓廠，該晶圓廠的能力可擴展至6G甚至更高。
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