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中國砸大錢進入記憶體技術競賽中。專家認為，錢可以縮短距離，卻買不到時間。（彭博）
〔財經頻道／綜合報導〕中國正以前所未見的速度逼近先進記憶體領域，讓韓美兩國同業明顯感受到壓力。不過，儘管中國狂砸錢，力拚彎道超車，但產業專家普遍認為，韓國記憶體產業的核心優勢依然穩固，因為在這個高度依賴經驗累積的產業裡，資金無法直接換來製程與量產的「熟練度」。
據報導，長期被視為落後數年的中國記憶體晶片產業，近年進展明顯加快。隨著中國政府強力扶植，加上中國最大DRAM業者長鑫存儲（CXMT）籌備上市，市場開始重新評估中國究竟追得有多快。
韓媒指出，多數業內人士認為，全球記憶體市場的主導權仍牢牢掌握在三星電子、SK海力士與美光3大廠手中，合計掌握超過90%的DRAM市占。其關鍵不只在規模，而在於它們長期領先最困難、也最關鍵的技術領域「先進DRAM與AI核心所需的高頻寬記憶體（HBM）」。
專家直言，數十年來的大規模量產經驗、與一線客戶的深度協作，以及能將極其複雜的製程穩定轉化為高良率商用產能，是韓國廠商最難被複製的護城河。
韓國業者早在 2020年便率先商用DDR5，今年已開始向主要AI客戶出貨第五代HBM3E，並著手準備下一代HBM4，進一步拉開與追趕者的距離。
中國方面，長鑫存儲成為攻堅記憶體版圖的主力，這家公司成立僅十餘年，直到2025年才首度轉虧為盈，目前全球DRAM市占約4%。在最尖端製程上，長鑫存儲仍落後數個世代，但在政府推動半導體自主化、以及中美科技競爭升溫的背景下，其製程開發與客戶拓展速度明顯加快。
長鑫存儲已宣布量產DDR5與LPDDR5X，並計畫今年切入HBM3等級產品。HBM涉及DRAM垂直堆疊、散熱與良率控制，被視為記憶體製造中技術門檻最高的一環，也正是韓國最具防禦力的戰場。
韓國學界與產業界普遍評估，中國在DRAM技術上仍落後約2至3年，這個差距相較十年前已大幅縮小，但在「每一代製程都會拉開效率與成本差距」的記憶體產業中，仍是關鍵差異。尤其在10奈米等級的先進節點上，韓國與國際大廠已推進至1b、1c世代，而中國多仍停留在較早的1z節點，代表在效能、功耗與成本上持續被拉開。
在NAND快閃記憶體方面，差距相對較小。中國廠商已能生產232層產品，與三星、SK海力士的286-321層仍有距離，但並非天壤之別。甚至在部分混合鍵合技術上，中國業者也展現亮點，顯示其追趕並非空談。
真正差距最大的，仍是HBM。韓國已在量產HBM3E，並準備HBM4。中國雖有企圖，但在堆疊精度、熱管理與穩定良率等細節上，仍明顯落後。這些能力，並非單靠砸錢即可速成，而是長期與AI晶片設計商反覆磨合的成果。
韓媒指出，多位產業老將直言，半導體不是「有錢就會」。一位曾在SK海力士負責DRAM業務26年的前高層指出，記憶體產業的升級節奏極快，一旦錯過世代轉換，舊技術的經濟價值很快就會被淘汰。即使在中低階市場取得市佔率，也難以動搖高端記憶體的長期格局。
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