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傳三星3奈米良率翻3倍 還是慘輸台積電

2024/03/24 07:14

傳三星3奈米良率翻3倍。(示意圖,法新社)

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林浥樺/核稿編輯

〔財經頻道/綜合報導〕三星電子努力提高3奈米GAA製程良率的舉動眾所周知,消息人士提供了最新進展,聲稱三星已經成功將良率提高到原來的3倍,儘管如此,但三星的3奈米良率仍落後給台積電。

科技網站《WccfTech》引述市場人士Revegnus看法稱,三星的3奈米製程良率一開始雖只有10~20%,但最近已拉升至3倍以上。也就是三星現在3奈米製程良率為30~60%之間。

Revegnus稱,雖然出現了進步,但和使用FinFET製程的台積電相比,三星的3奈米良率依舊較低。不過三星對第二代3奈米GAA製程有著高期望,看好其效能、功耗及面積(Performance,Power,Area;PPA)的前景,有謠言甚至暗示相當於台積電的N3P。

Revegnus表示,消息人士透露,三星3奈米製程的能源效率(power efficiency)、邏輯區域(logic area),都比4奈米FinFET改善20~30%。

《WccfTech》稱,正如之前報導提到的,三星必須進一步提高良率到70%,才能重拾高通等之前客戶的信心。

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