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研調預估記憶體需求位元將年增兩位數，價格看產能（記者洪友芳攝）
〔記者洪友芳／新竹報導〕研調機構集邦科技（TrendForce）今指出，記憶體歷經2023年低基期之後，加上部分記憶體產品價格已達相對低點，預估明年DRAM、NAND Flash需求位元將彈升，DRAM將年增13%、NAND Flash約年增16%，但價格是否有機會反彈，要看供應商能否控制產能得宜。
TrendForce表示，預估2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗，通用型伺服器的資本支出也將因AI伺服器排擠而顯得相對需求疲弱，記憶體原廠減產DRAM與NAND Flash的策略估將延續，尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。
TrendForce指出，記憶體歷經2023年低基期之後，加上部分記憶體產品價格已達相對低點，預估明年DRAM、NAND Flash需求位元將彈升，但儘管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，並回到供需平衡狀態，重點還是仰賴供應商對於產能有所節制，若供應商產能控制得宜，記憶體均價才有機會反彈。
從各類應用分析，TrendForce表示，PC DRAM平均搭載容量年成長率約12.4%，主要預期2024年隨著搭載Intel新CPU Meteor Lake機種的量產，該平台僅支援DDR5與LPDDR5的特點，將使DDR5在2024下半年超越DDR4成為主流。PC Client SSD的成長則不如PC DRAM，平均搭載容量年成長率預估僅約8~10%。
伺服器方面，TrendForce指出，Server DRAM平均搭載容量年成長率預估可達17.3%，主要受惠於伺服器平台進入世代轉換、CSP部分業務對於CPU核心匹配RAM的仰賴度提升、AI伺服器算力負載量需求高等原因。Enterprise SSD平搭載容量年成長率預估約14.7%，伺服器品牌端受惠NAND Flash價格大幅滑落，將持續推升16TB的搭載量，AI伺服器的幫助則不大。
智慧型手機方面，受全球經濟疲軟影響，預估2024年生產量年成長率僅約2.2%，TrendForce認為是拖累需求位元成長的主因。受惠連續數個季度的記憶體價格下滑，開啟品牌在硬體上的競賽，因此，預估2023年智慧型手機平均搭載容量年增約14.3%，2024年由於Mobile DRAM平均銷售單價仍處於相對低點，預估將延續此態勢，全年單機搭載容量有機會再成長7.9%。
UFS及eMMC方面，影像儲存需求、5G滲透率提高等，均會帶動智慧型手機平均搭載容量提升，但在原廠減產以醞釀漲價的情況下，智慧型手機OEM的成本控管會更謹慎，2024年中低階機種1TB以上的規劃可能減少。另QLC產品尚未獲得智慧型手機OEM青睞，也不利原廠透過低成本產品引導客戶升級容量。2024年隨著智慧型手機容量基期越來越高，加上蘋果（Apple）暫無規劃高於1TB容量的iPhone機種，TrendForce預估，智慧型手機平均儲存容量年成長率約13%。
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