晴時多雲

IBM攜手三星 半導體設計重大突破

2022/01/03 14:22

IBM和三星電子聯合宣布新型垂直電晶體管架構的半導體設計突破。(法新社)

〔財經頻道/綜合報導〕IBM和三星電子聯合宣布利用新型垂直電晶體管架構的半導體設計突破,該架構展示一種超越奈米片的擴展路徑,與按比例縮放的鰭式場效電晶體(finFET)相比,可能減少85%能源使用量。

降低85%耗能 突破1奈米瓶頸限制

全球半導體短缺凸顯晶片研發投資的關鍵作用,以及晶片在從應用計算、電器、通信設備、交通系統和關鍵基礎設施等各個方面的重要性。IBM和三星在紐約州的奧爾巴尼奈米技術綜合中心進行半導體創新研發,在科學家與公共和私營部門合作下,突破半導體能力的界限。這種創新方法有助滿足製造需求,並加速全球晶片業的發展。

目前的處理器和單晶片,是將電晶體平放在矽表面上,然後電流從一側流向另一側。然而,三星與IBM宣稱研發出垂直傳輸場效應電晶體(VTFET),是透過彼此垂直堆疊之下,讓電流垂直流動來達成。

VTFET設計有兩項特色。首先,可以繞過許多性能限制,將摩爾定律擴展到1奈米瓶頸之外物理限制。其次是,由於電流更大,該設計減少能源浪費。根據這兩家公司的估計,VTFET將使處理器的速度比採用FinFET電晶體設計的晶片快了2倍,且功耗降低85%。

採用這種電晶體設計的晶片未來可能讓手機一次充電下,可以使用一週時間;還可以使某些需要能源密集型的任務如加密採礦變得更加節能。

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