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FinFET（Fin Field-Effect Transistor）為鰭式場效電晶體，也是新的互補式金氧半導體（CMOS）電晶體，打破過去半導體業持續沿用的傳統平面型電晶體結構，因控制電流通過的閘門，為多重閘極3D架構，電路如同由平面停車場走向立體停車場，形狀好像魚鰭，因而得名。
FinFET技術的發明人是知名的加州大學伯克利分校的胡正明教授，他曾回台擔任過台積電技術長；多重閘極3D架構的FinFET，隨著電子產品走向輕薄短小，被業界認為較能控制電流與降低漏電。
目前英特爾、三星的14奈米製程或台積電的16奈米製程，皆開始採用FinFET製程，相較28奈米製程，業界估可提高40%到50%效能，減少約50%功耗。（記者洪友芳）
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