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（格棋化合物半導提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕地緣政治加劇，半導體業因應客戶要求「去中化」，化合物半導體業者指出，目前不僅力求技術自主，由於客戶要求「去中化」程度相當高，連設備的零組件也要求「去中化」，改走國產化。
台積3奈米製程 已排除中國設備商
日媒日前報導台積電（2330）在2奈米製程設備採購「去中化」，但半導體設備業界指出，台積電從3奈米就開始排除中國設備商，包括中微科、Mattson等中系廠商早已被排除。
設備的零組件也要求去中化
格棋化合物半導體董事長張忠傑表示，公司成軍3年，為碳化矽（SiC）材料供應商，提供6吋及8吋長晶、晶棒加工、晶圓及非規格品一條龍解決方案；儘管目前市場供給過剩，但看好市場潛力，尤其美日客戶要求「去中化」程度相當高，包括生產設備的零組件也有此要求，需提供非中國來源證明，因此公司在零組件也改走國產路線。
張忠傑表示，格棋目前生產6吋SiC長晶、晶棒及晶圓，8吋也準備就緒，晶種長晶與熱場模組設計也已完成前期驗證；第1座廠裝設100多台長晶爐，年底將再增加30到40台，目前產能利用率約5成，將努力提高生產庫存量，可望到7至8成；預計擴增第2座廠量產，設備也積極採自己研發自製及零組件「去中化」，第2座廠將聚焦12吋碳化矽技術。
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