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由於上海、南京廠佔台積電產能僅一小部分，獲利佔比更不到3%，市場研判對台積電未來營運影響有限。
（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕美國政府撤銷南京廠VEU（驗證後最終用途）到今年底生效，對於美國政府撤銷台積電在中國取得美國半導體製造設備的豁免許可，由於上海、南京廠佔台積電產能僅一小部分，獲利佔比更不到3%，市場研判對台積電未來營運影響有限。
外媒報導，相較之下，SK海力士（SK Hynix）在中國的DRAM佔全球產能達35-40%，NAND快閃記憶體則佔達40-45%；三星電子（Samsung Electronics）在中國則約30-35%的NAND快閃記憶體產能；這顯示南韓廠商對中國的依賴程度遠高於台積電，台積電在中國的邏輯晶片產能僅占全球一小部分，影響相對有限。
台積電的上海8吋廠以成熟製程為主，南京12廠奈米以12/16奈米製程技術為主。因設備早巳折舊攤提完畢，又有穩定的客源投產，兩座廠皆持續處於獲利狀態。台積電今年上半年認列中國子公司、南京子公司稅後純益分別為55.96億元及144.39億元，約占整體獲利比重約2.6％；16/20奈米生產分佈台灣及中國，今年第2季營收占台積電比重約7％，主要營收及獲利還是以先進製程貢獻居多，今年第2季3奈米製程出貨比達到24 ％，5奈米製程達36%，7奈米製程出貨比約14%，等於3、5、7奈米先進製程的營收比重合計達74%。
台積電昨晚證實，公司已接獲美國政府通知，南京廠的VEU授權將於2025年12月31日正式撤銷。公司正評估相關情況並採取適當措施，包括與美國政府保持溝通，但台積電仍將全力確保南京廠的持續運營。受到美國取消豁免權影響，台積電ADR跌1.07％、收228.41美元。
根據《彭博》報導指出，這項政策短期內不會導致工廠停擺，但設備維修與零件替換將顯著延後，可能造成良率下降，進一步加劇全球記憶體供應緊縮。美國設備供應商如科林研發（KLA）、應用材料（Applied Materials）及科磊（Lam Research）可能因需求減少而受損，美光（Micron Technology）則有望因競爭減弱而獲利。
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