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在SRAM的密度上，台積電的2奈米製程遠勝英特爾的1.8奈米製程。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕美國科技網站Tom's Hardware報導，台積電的2奈米（N2）製程在靜態隨機存取記憶體（SRAM）的密度上優於英特爾的1.8奈米（18A）製程。根據2025國際固態電路研討會（2025 ISSCC）先進計畫，英特爾的18A SRAM密度大幅低於台積電的N2，較接近台積電的3奈米（N3），不過，相較台積電的N2，英特爾的18A可能仍有其他重要優勢。
報導說，英特爾18A製程的特點是具有 0.021 µm^2 的高密度 SRAM 位單元尺寸（因此達成約 31.8 Mb/mm^2 的 SRAM 密度），這與台積電N3E與N5提供的一致。相較之下，台積電N2製程技術將 HD SRAM 位單元尺寸縮小至 0.0175 µm^2 左右，使 SRAM 密度達到 38 Mb/mm^2。
18A與N2都依賴環繞式閘極（GAA）電晶體，但有別於英特爾，台積電成功縮小其高密度SRAM位單元尺寸。不過應該注意的是，除了SRAM的位單元大小外，SRAM的一個關鍵特性是其功耗，目前並不真正知道在此指標上，18A與N2如何比較。
SRAM密度是最難以用現代製程技術微縮的東西之一，因為這涉及複雜的設計、對穩定性與可靠性的操作要求，以及在較小節點上增加可變性。換言之，一些現代技術相較於其他製程節點，有較大的SRAM單元尺寸，並不足為奇。
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