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三星電子2023年出現鉅額虧損、金額高達113億美元、創下新紀錄。（美聯）
三星諸事不順 晶圓代工手機均吃癟
歐祥義／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕2023年三星電子（Samsung Electronics ）營運受挫，3奈米生產不順利，晶圓代工的市佔率節節敗退，記憶體晶片部門因記憶體價格不振、營運呈現疲軟，直到第4季記憶體價格出現反彈，虧損才見收斂，至於手機部門更是悲情，市場市佔率被蘋果直線超車，直接終結12年的霸業。
三星電子2023年出現鉅額虧損、金額高達113億美元（約新台幣3661.5億元）、創下新紀錄，全年獲利僅剩6.5兆韓元（約新台幣1548億元），為15年新低，較2022年大減逾8成。
三星營運進入緊急狀態，除了去年業績獎金全數歸「零」，也急令高階主管只能週休一天，以應對業務競爭力下滑。
三星拿到美國補貼款，南韓國內卻高興不起來，擔憂恐影響三星在南韓的就業需求。（法新社）
在美投資成就美國 恐危及南韓半導體市佔率
先進製程競賽打得火熱，現今檯面上只剩下台積電（TSMC）、三星（Samsung）與英特爾（Intel）三家手握參賽權。以美國陸續補貼金額先後公布，三星是最後一位公布，還是拿到最少的廠商。儘管三星拿到這筆約64億美元的補助款，但付出的總投資成本卻是三家中最多的，高達440億美元（約新台幣1.42兆元）。
據了解，為追趕與台積電日益加大的距離，無懼美國通膨導致營建成本不斷攀升，三星還是咬牙追加投資額，在美國建置第二家晶片製造廠、先進的晶片封裝設施和研發能力。此舉比對三星於3年前在泰勒建立晶片製造工廠的承諾，增加了一倍以上。
1990年代，美國佔全球晶片產量的三分之一以上，但到了2020年已降至 12%左右。美國《半導體法》的目標，為的就是減少美國對南韓、臺灣等東亞地區的半導體依賴，利用在地製造重回半導體生產大國，至2030年前回升至20%。
對於這次三星拿到美國補貼款，預計將可在美國創造逾2萬個工作，在此消彼漲下，勢必影響將三星在南韓的就業形勢。與此同時，因此，三星電子在美國開始生產新一代先進半導體，也將使得南韓在全球供應鏈中的佔比下降。
韓媒直言，三星拿到美國補助款這件事，令人心情無法輕松，根本高興不起來，同時炮口也直批南韓政府，放任發達國家像黑洞一樣吸走南韓企業的投資。
蘋果結盟台積電，加速去三星化的策略，三星與台積電在晶圓代工領域地位就此反轉。（彭博）
良率難改善 輝達訂單得而復失
三星自14奈米世代遭台積電16奈米突然擊潰，於蘋果iPhone 6S A9晶片世代大輸台積電，加上蘋果加速去三星化的策略，三星與台積電在晶圓代工領域地位就此反轉。
三星電子主業是半導體製造，三星於7奈米世代起便立下超車台積電的目標，但自從進入5奈米以來，良率就低於台積電；以4奈米晶片訂單觀察，三星代工的晶片良率為35%、台積電則為70%。為了能重新追上競爭對手，三星在2022年選擇以抄捷徑、搶快致勝的方式，在3奈米的製程上選擇了GAA（Gate-All-Around）架構，這與英特爾、台積電所沿用FinFET的策略大不同。
全球兩大晶圓代工龍頭在先進製程的角力進入新階段，但三星在良率問題下，本在三星採用低價8奈米的輝達（NVIDIA），也又再度回到了台積電懷抱。市場認為，在效能、良率與先進封裝一條龍服務，以及進入更先進製程、光罩等相關成本飆升，未來輝達已難再回頭三星，三星再流失一個大客戶。
但三星在生產3奈米製程晶片組時面臨困境，因此不得不減少成熟製程接單量，把研發人力轉來投入3奈米。此舉讓當時的三星不再接受南韓國內中小型IC設計商的130奈米至65奈米製程晶片組代工訂單，成熟製程營收直接受到影響。
此外，三星將3奈米轉向GAA，看準的是晶片的尺寸縮小35%、能耗降低50%、性能卻能夠提高30%。對此，市場分析師卻不認同，直指尖端晶片生產的「良率」（yield）才是決勝之處，GAA技術是「先做出成品」後才能確定成功或失敗，風險較大。
業內人士直言，這些年來三星與台積電在高階晶片生產代工的競逐，「關鍵便是在良率」，而良率才是高階晶片製造廠的商業機密。
三星想前進1奈米，但天價High-NA EUV設備將成為再拉大與台積電競爭的有力門檻。（路透）
苦無訂單 天價High-NA EUV恐拖累財務
三星試圖打破良率落後台積電的劣勢，實際層面上需要許多資金及技術投入。此外，目前大客戶都在台積電手中，且客戶轉單成本高昂與製程複雜度更高，多數晶片業者多半不會選擇第二家晶圓代工廠。加上三星、英特爾在先前投資尚未回收，但台積電卻有豐厚的獲利支撐，將持續拉開與三星、英特爾差距。
以台積電擴產規劃顯見，2奈米已訂單滿手，將在2025年量產的2奈米，其客戶規模應是延續3奈米。現今三星只能放手一搏，在美國德州泰勒建設的兩座晶片製造工，規劃生產4奈米和2奈米晶片的代工業務，預計2026年和2027年投入營運。
與此同時，1奈米製程競賽也恐將提前開打，台積電重申2030年如期步入1奈米節點之路，英特爾暗示其1.4奈米節點將在2028年就緒，三星則有信心於2027年量產1.4奈米製程技術。
市場認為，1台High-NA EUV設備要價3.5億歐元（約新台幣121.7億元）至4億歐元（約新台幣139.1億元），遠高於現有1.5億歐元（約新台幣52.1億元）EUV設備，三星再無大量訂單支持下，也難以擴大採購設備。因此，高價的High-NA EUV設備反而將三星、英特爾挑戰台積電的難度將再拉升，2奈米世代恐成三星最後逆轉的機會。
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