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佳能開始推廣FPA-1200NZ2C奈米壓印工具。（示意圖，取自佳能官網）
〔財經頻道／綜合報導〕日商佳能（Canon）上周發表半導體先進製程新機器「奈米壓印」（Nanoprinted lithography），根據分析師告訴電子工程專輯雜誌《EE Times》，佳能的新型奈米印刷曝光工具機（NIL）需要數年時間才能與荷商ASML提供的極紫外光EUV曝光設備相媲美，用來製造世界上最先進的半導體。
佳能開始推廣FPA-1200NZ2C奈米壓印工具，該工具可將帶有電路圖案的掩模壓印到矽晶圓上，此技術不同於ASML EUV機具中專門用於將圖案投影到光罩上的光學機制。
專家指出，佳能的技術面臨幾個障礙，包括缺乏精準度以及向中國銷售設備的潛在限制。
半導體研發組織imec的專案經理Cedric Rolin表示，使用奈米壓印技術，在品質方面很難與EUV相媲美。他說，奈米壓印的缺陷率「相當高」。
Gartner 研究副總裁Gaurav Gupta表示，至少在兩年內，ASML作為全球唯一一家能夠製造2奈米及以上製程晶片的曝光設備供應商，其地位是穩固的。
Gupta指出，佳能設備可能會受到出口管制，阻止中國使用高階曝光機。他說：「如果它有效，並且產量和吞吐量已經解決，我預計至少需要2到3年、或更長時間才能在大批量生產中採用，」他補充說：「這是假設它兌現承諾，根據我對此類變革性公告的經驗，我們需要更長的時間才能看到執行的跡象」。
佳能的新聞稿聲明，其奈米壓印技術可實現最小線寬為14奈米的圖案化，相當於5奈米製程。該公司表示，隨著掩模技術的進一步改進，奈米壓印曝光將能夠實現最小線寬為10奈米的電路圖案，相當於2奈米節點。
Semiconductor Advisors總裁Robert Maire向EE Times表示，奈米壓印技術可能在記憶體晶片生產中具有潛在應用，因為儲存晶片比邏輯更能容忍缺陷問題。他補充說，奈米壓印的分辨率較低，遠非「現實世界」的大批量製造解決方案。
Maire說：「缺陷和對準一直是奈米壓印的長期存在問題和局限性，」、「我們確實讚揚佳能透過日本工程技術取得了巨大進步，但基本的技術限制仍然存在」。
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