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台積電法說會曾透露，3奈米等先進製程規劃今年下半年量產，明年上半年開始貢獻營收，3奈米家族的N3E製程，規劃明年下半年量產。（路透）
〔即時新聞／綜合報導〕台積電3奈米升級版N3E製程傳出良率進度超出預期，其中256Mb SRAM平均良率約80%，行動與高效能運算（HPC）邏輯測試晶片的平均良率也接近80%，而良率驗證的環形振盪器（R.O）則超過92%。
近日中國微博流傳一張疑似台積電內部投影片，顯示N3E製程進展良好，良率優。（圖擷自微博）
知名科技網站《Tom’s Hardware》爆料，近日中國微博流傳一張疑似台積電內部投影片，顯示N3E製程進展良好，N3E SRAM的良率明顯高於N3，圖表顯示256Mb SRAM平均良率約80%，行動與高效能運算（HPC）邏輯測試晶片的平均良率也接近80%，而良率驗證的環形振盪器（R.O）則超過92%。
《Tom’s Hardware》指出，N3E製程進展良好的消息，並不讓人意外，稱台積電以改良過的製程視窗（Process Window）設計N3E，電晶體密度略低，這自然帶來更高的良率；報導同時指出，N3E還有更快的時脈速度及更少的耗電量。
日前台積電法說會曾透露，高效能運算（HPC）仍是驅動公司未來成長的動能，3奈米等先進製程規劃今年下半年量產，明年上半年開始貢獻營收，3奈米家族的N3E製程，規劃明年下半年量產；更先進的2奈米製程採用GAA技術，將較N3E效能提高20%左右，規劃2024年試產，2025年展開量產。
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