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研調指出，美光日本廠跳電，預估對整體市場無衝擊（路透）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體大廠美光（Micron）位於廣島的日本廠於7月8日發生跳電意外，根據集邦科技（TrendForce）調查，由於跳電發生時，機台也同時啟動不斷電系統，但因壓降的影響，機台需要重啟與檢查，估跳電時間約5~10分鐘，受影響的產能有限，值市場需求疲弱，對整體DRAM供需市場也無造成衝擊。
以第3季產能來看，美光日本廠月產能占美光月產能約30%；若以全球產能來看，投片占比則約7%，主要投產製程為1Z nm，其投片比重為50%以上，其次為1Y nm，占比約接近35%。
集邦科技表示，美光日本廠主要是R&D的研發中心，下一代製程1beta nm也將優先於該廠內投產。現階段以產出智慧型手機相關的mobile DRAM為主。自年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱，使得各原廠的記憶體庫存皆位於較高水位，且跳電對美光產能影響較低，美光也能使用其庫存來滿足客戶端的需求，對整體DRAM供需市場並無造成衝擊。
集邦科技同步觀察到，向來對市況會有即時反應的現貨市場，在跳電發生至今，並未有需求增加，或是發生客戶急單的市場反應，價格端完全沒有發出止跌訊號，預估此次跳電並不會扭轉記憶體供過於求的現況。將維持原來對下半年的價格預估，意即第3季DRAM價格將季跌約10%。
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