晴時多雲

坂本幸雄:中芯國際最佳製程 是台灣8年前的技術

2022/05/31 15:32

宣告破產的中國紫光集團前高級副總裁坂本幸雄,近日接受日經新聞訪問表示,中國半導體產業的實力不管在研發、生產和產品良率方面落後台灣、南韓和美國一大截。 (圖取自清華紫光網站)

〔編譯盧永山/綜合報導〕宣告破產的中國紫光集團前高級副總裁、前日本爾必達社長坂本幸雄,近日接受日經新聞訪問表示,中國半導體產業的實力不管在研發、生產和產品良率方面落後台灣、南韓和美國一大截。

坂本指出,中國佔世界半導體生產的比重為15%,但其中英特爾等外資企業佔60%,中國企業的比重僅40%,中國半導體產業當前的要務是研發,但肩負中國半導體產業發展者主要是出自台灣,多為成品良率改善等工序管理方面的人才,在從零開始創造價值的研發方面缺乏經驗。

坂本說,中國半導體實力與世界頂尖水平的差距很大,在DRAM領域處於中國頂尖水平的長鑫存儲,與三星電子相比落後4代左右;而在NAND快閃記憶體領域,中國據稱頂尖的長江存儲在去年8月啟動128層3D NAND的量產,雖已啟動192層的試產,但生產的數量過少,達不到討論競爭力的水平。

坂本表示,在運算用邏輯晶片領域,即使是中國頂尖的中芯國際,最好的產品也只是14奈米,這已是7、8年前的技術,而台積電正在開發2奈米的產品,中芯國際以工序管理的工程師為中心,或許難以推進新技術的開發,加上美國的制裁,更難以引進尖端的半導體生產設備,無法跨入價值巨大的處理器領域,經營資源完全被用在增加14奈米以上的產能,如果缺乏在3、4年後追上台積電的雄心,差距會不斷擴大。

而根據南韓BusinessKorea報導,韓國進出口銀行旗下海外經濟研究院(OERI)預估,中國業者在DRAM和NAND快閃記憶體方面與南韓業者的技術落差分別達5年和2年。

中國半導體業的產品良率也很低。OERI分析指出,長鑫存儲2019年開始量產第一代10奈米DRAM,但2年多過去,良率仍只有75%;第二代DRAM的良率更只有40%。

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