宣告破產的中國紫光集團前高級副總裁坂本幸雄，近日接受日經新聞訪問表示，中國半導體產業的實力不管在研發、生產和產品良率方面落後台灣、南韓和美國一大截。 （圖取自清華紫光網站）
〔編譯盧永山／綜合報導〕宣告破產的中國紫光集團前高級副總裁、前日本爾必達社長坂本幸雄，近日接受日經新聞訪問表示，中國半導體產業的實力不管在研發、生產和產品良率方面落後台灣、南韓和美國一大截。
坂本指出，中國佔世界半導體生產的比重為15%，但其中英特爾等外資企業佔60%，中國企業的比重僅40%，中國半導體產業當前的要務是研發，但肩負中國半導體產業發展者主要是出自台灣，多為成品良率改善等工序管理方面的人才，在從零開始創造價值的研發方面缺乏經驗。
坂本說，中國半導體實力與世界頂尖水平的差距很大，在DRAM領域處於中國頂尖水平的長鑫存儲，與三星電子相比落後4代左右；而在NAND快閃記憶體領域，中國據稱頂尖的長江存儲在去年8月啟動128層3D NAND的量產，雖已啟動192層的試產，但生產的數量過少，達不到討論競爭力的水平。
坂本表示，在運算用邏輯晶片領域，即使是中國頂尖的中芯國際，最好的產品也只是14奈米，這已是7、8年前的技術，而台積電正在開發2奈米的產品，中芯國際以工序管理的工程師為中心，或許難以推進新技術的開發，加上美國的制裁，更難以引進尖端的半導體生產設備，無法跨入價值巨大的處理器領域，經營資源完全被用在增加14奈米以上的產能，如果缺乏在3、4年後追上台積電的雄心，差距會不斷擴大。
而根據南韓BusinessKorea報導，韓國進出口銀行旗下海外經濟研究院（OERI）預估，中國業者在DRAM和NAND快閃記憶體方面與南韓業者的技術落差分別達5年和2年。
中國半導體業的產品良率也很低。OERI分析指出，長鑫存儲2019年開始量產第一代10奈米DRAM，但2年多過去，良率仍只有75%；第二代DRAM的良率更只有40%。