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IET-KY董事長高永中表示，第3季營收成長動能主要來自磷化銦（InP）的異質結雙極電晶體（HBT），晶片光接收器（PIN），和雪崩式光接收器（APD）。（記者張慧雯攝）
〔記者張慧雯／台北報導〕IET-KY（4971）今（11）日召開法說會，董事長高永中表示，第3季營收成長動能主要來自磷化銦（InP）的異質結雙極電晶體（HBT），晶片光接收器（PIN），和雪崩式光接收器（APD），而前3季每股稅後盈餘（EPS）達1.72元、年增率高達282%。
IET-KY前3季營收5.28億元、年增率達8.56％，不過EPS來到1.72元、年增率來到282.22%。高永中指出，今年第1-2季受到風災影響，第3季產能恢復正常，而磷化銦（InP）應用包括高頻光纖網路、高頻量測儀器元件、光通訊用光接收器於雲端計算、資料庫、資料傳遞應用，5G基礎建設…等，需求大幅增溫。
他也說，目前PIN磊晶片，高速量測HBT量產訂單已覆蓋到明年第一季，隨著市場需求增大，也提高產能利用率準時交貨，同時積極與 APD多家磊晶片客戶進行產品認證，至於研發方面，重點為研發長波長雷射應用磊晶片，明年中投入中型機台，擴大磷化銦磊晶片產能。
在砷化鎵（GaAs）部分，高速VCSEL主要客戶量產訂單已到位，第4季營運重點對VCSEL與高端pHEMT磊晶片主要客戶量產出貨，期待挹注第4季營收，同時與各客戶開發其他VCSEL產品，包含InP-based VCSEL及 dilute nitride 13xx nm 磊晶產品。
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