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美光高層透露，正在與日本、台灣、美國等多國政府接觸，洽談潛在的投資計畫。（美聯社資料照）
〔財經頻道／綜合報導〕記憶體大廠美光（Micron）宣布，將在未來10年內投資逾1500億美元（約新台幣4兆多），並傳出將在日本廣島興建DRAM（動態隨機存取記憶體）新廠，公司高層近日接受日媒訪問時透露，正持續和各國政府就擴大公司製造業務進行討論，其中也包括台灣。
《日經新聞》報導，美光執行副總裁巴帝亞（Manish Bhatia）表示，關於下一代晶片技術，美光正在與日本、台灣、美國和其他多個國家政府接觸，討論公司的下一步。巴帝亞提到，公司不排除將產業目前最尖端的EUV（極紫外光）製程技術設備帶往包括日本在內，任何潛在的投資地，並在當地生產DRAM。
EUV技術被視為推動晶片發展的關鍵製程，目前全球只有1家公司，荷蘭高科技機器商艾司摩爾（ASML）生產極紫外光刻機。巴帝亞補充，美光目前尚未敲定針對任何1國的具體投資計畫。並指出，公司的全球拓展計畫旨在跟上不斷增長的需求，不會導致記憶體晶片供過於求。
台灣是美光最大的DRAM生產中心，美光日前宣布，將在2024年之前將EUV製程技術引入台灣。近期報導則傳出，美光計畫在台灣DRAM廠安裝ASML最新EUV光刻機NXE:3600D，有望在台灣生產首顆EUV DRAM。
巴帝亞表示，隨著主要經濟體重新審查半導體政策，在不斷成長的半導體生態系統中，美光希望能強調記憶體晶片的重要性。目前多數政策討論都集中在處理器、微控制器、影像感測器和其他類型的邏輯晶片上，而非記憶體晶片。
美光在本週宣布，將在未來10年內投資1500億美元，用於晶片製造和研發。宣布這項消息之際，全球正面臨前所未有的晶片短缺問題，美國、歐洲、日本和中國都相繼提升國內晶片供應鏈。
美光是全球第3大DRAM晶片製造商，僅次於南韓的三星（Samsung）和SK海力士（SK Hynix）。同時是全球第5大NAND（儲存型快閃記憶體）晶片製造商，排在三星、SK海力士、日本鎧俠（Kioxia）和美國威騰電子（Western Digital）之後。
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