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旺宏總經理盧志遠。（旺宏提供）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠旺宏 （2337） 今 （27） 日召開法說會，總經理盧志遠宣布，公司研發3D NAND（儲存型）快閃記憶體過程艱困，但關關難過關關過，已有進步的研發成果，預計第4季量產，已獲國際策略性客戶認證與訂單需求，旺宏立即將啟動擴產計畫，董事會已核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B，這對旺宏是重要的里程碑。
3D NAND快閃記憶體為立體堆疊技術，與目前平面式2D的技術門檻高很多，全球有3D NAND快閃記憶體技術能力為三星、SK海力士、美光、鎧俠，旺宏從2007年開始投入研發，到近5年逐漸開發出產品技術並將量產，非常不容易，也是台灣第一家成功研發出3D NAND快閃記憶體技術的廠商，代表旺宏長期深根技術的成果，已與國際大廠並駕齊驅。
盧志遠說，旺宏投入3D NAND快閃記憶體研發過程艱困，但關關難過關關過，已有進步的成果，4月間已將48層（相當於10奈米）的產品送策略性客戶認證，將於第4季開產約5千片/月產能，出貨對象即合作多年的策略性客戶，96層（相當於7或5奈米）的3D NAND明年可望有機會量產，也是賣給策略性客戶，192層（相當於3奈米）預計最快為2023年。
他表示，因策略性客戶有大量需求，旺宏也決定啟動擴產計畫，今天已獲董事會核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房，預計明年第1季完成Fab 5B無塵室、運送天車等設施，2022年底投產， 2023年初可望貢獻營收，主要生產3D NAND快閃記憶體，先進的NOR快閃記憶體產能也會擴增。
盧志遠表示，12吋廠的Fab 5A生產NAND、NOR快閃記憶體各佔一半，Fab 5B面積比目前生產中的Fab 5A稍大，但Fab 5A生產2D，Fab 5B將走向3D，層數不同，就層數而言，產能將加倍，技術也跳達兩個世代，產品也偏價值高的高階產品。
盧志遠說明，旺宏預計最快以2-3年完成415億元投資支出，分階段執行，看客戶需求與市場變化而定，慢則4-5年；預計量產後也最快2-3年可填滿，盧志遠強調，這項投資「不會使旺宏毛利率受傷」。
盧志遠指出，Fab 5B的無塵室設施將於今年底開始施作，明年第1季完工，接著開始裝機，但目前機器設備交期都較長，將與供應商討論交機時程。旺宏今年資本支出52億元，全年折舊費用約43億元。
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