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台灣第一家!旺宏研發3D NAND快閃記憶體年底量產 策略性客戶需求並火速啟動投資415億元擴產

2021/07/27 20:09

旺宏總經理盧志遠。(旺宏提供)

〔記者洪友芳/新竹報導〕記憶體廠旺宏 (2337) 今 (27) 日召開法說會,總經理盧志遠宣布,公司研發3D NAND(儲存型)快閃記憶體過程艱困,但關關難過關關過,已有進步的研發成果,預計第4季量產,已獲國際策略性客戶認證與訂單需求,旺宏立即將啟動擴產計畫,董事會已核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B,這對旺宏是重要的里程碑。

3D NAND快閃記憶體為立體堆疊技術,與目前平面式2D的技術門檻高很多,全球有3D NAND快閃記憶體技術能力為三星、SK海力士、美光、鎧俠,旺宏從2007年開始投入研發,到近5年逐漸開發出產品技術並將量產,非常不容易,也是台灣第一家成功研發出3D NAND快閃記憶體技術的廠商,代表旺宏長期深根技術的成果,已與國際大廠並駕齊驅。

盧志遠說,旺宏投入3D NAND快閃記憶體研發過程艱困,但關關難過關關過,已有進步的成果,4月間已將48層(相當於10奈米)的產品送策略性客戶認證,將於第4季開產約5千片/月產能,出貨對象即合作多年的策略性客戶,96層(相當於7或5奈米)的3D NAND明年可望有機會量產,也是賣給策略性客戶,192層(相當於3奈米)預計最快為2023年。

他表示,因策略性客戶有大量需求,旺宏也決定啟動擴產計畫,今天已獲董事會核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房,預計明年第1季完成Fab 5B無塵室、運送天車等設施,2022年底投產, 2023年初可望貢獻營收,主要生產3D NAND快閃記憶體,先進的NOR快閃記憶體產能也會擴增。

盧志遠表示,12吋廠的Fab 5A生產NAND、NOR快閃記憶體各佔一半,Fab 5B面積比目前生產中的Fab 5A稍大,但Fab 5A生產2D,Fab 5B將走向3D,層數不同,就層數而言,產能將加倍,技術也跳達兩個世代,產品也偏價值高的高階產品。

盧志遠說明,旺宏預計最快以2-3年完成415億元投資支出,分階段執行,看客戶需求與市場變化而定,慢則4-5年;預計量產後也最快2-3年可填滿,盧志遠強調,這項投資「不會使旺宏毛利率受傷」。

盧志遠指出,Fab 5B的無塵室設施將於今年底開始施作,明年第1季完工,接著開始裝機,但目前機器設備交期都較長,將與供應商討論交機時程。旺宏今年資本支出52億元,全年折舊費用約43億元。