記者洪友芳／專題報導
迎接半導體技術走向系統化，整合不同晶片堆疊而成的3D IC（三維積體電路）將成為主流發展趨勢，台積電（2330）已率先以2.5D IC技術為客戶量產FPGA產品，並展開3D IC佈局，聯電（2303）、日月光（2311）、矽品（2325）也積極研發中，業界預估2014年到2015年是3D IC進入量產年。
由於3D IC的矽穿孔（TSV）技術還有散熱、門檻較高等問題待克服，台積電以矽中介層的CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）開發出2.5D堆疊技術，從前段晶圓製造到後段封測提供客戶整合服務。
台積電於去年陸續以2.5D堆疊技術為場域可編程閘陣列（FPGA）大廠賽靈思（Xilinx）、Altera量產新產品，並與Altera採CoWoS生產技術，共同開發全球首顆整合多元晶片技術的3D IC測試晶片，將類比、邏輯及記憶體等各種不同晶片堆疊組合在單一晶片上，有效降低功耗及縮小產品尺寸。技術製程將由28奈米推升到20奈米。
不同於台積電從生產製造到封測的整合服務模式，聯電採取與開放式供應鏈合作的作法，與不同廠商分工互補，例如2010年與日商爾必達（Elpida）、台灣記憶體封測廠力成（6239）攜手合作，共同開發28奈米先進製程的邏輯與DRAM的3D IC技術；取得IBM授權技術，正開發20奈米的FinFET 3D電晶體技術；與新加坡半導體封測廠星科金朋（STATS ChipPAC）合作開發TSV 3D IC技術。
後段封測廠也看好3D IC勢將為技術主流，紛展開研發與佈局，日月光已量產28奈米的2.5D技術相關封裝產品，3D IC也將導入量產；矽品也計畫在中科佈建3D IC等先進技術的產能；力成已在湖口打造3D IC的封測廠，預計明年量產。
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