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〔記者洪友芳／台北報導〕全球NAND快閃記憶體第2大廠日本東芝（Toshiba）舉行新廠動土儀式，預計明年量產，總產能估計將增加2成；後段封測廠力成（6239）與東芝合作密切，加上力成也看好NAND快閃記憶體，也正佈局新產能，市場認為力成受惠最大。
2013年第2季NAND快閃記憶體品牌廠商排名，韓國三星（Samsung）以市占率37.8%居冠，東芝市占率28.7%居第2大，SK海力士（Hynix）市占率14.6%排第3大，其他依序為美光（Micron）、英特爾（Intel）。東芝寄望新廠量產後，能達全球龍頭寶座，並因應三星近期開始生產3D結構的NAND快閃記憶體，計劃2015年也進行量產。
近期NAND快閃記憶體因需求不振，價格走跌，但力成仍看好NAND快閃記憶體，力成董事長蔡篤恭表示，該公司封測NAND快閃記憶體以高容量產品為主，因客戶擴產，往後將繼續帶動營運成長，目前已將部分DRAM測試機台轉測試NAND快閃記憶體，下半年投片的新廠更是3D IC的重要廠區。第3季快閃記憶體將占35%營收比重，第4季將超越DRAM的30%，成為力成營收的最大主力產品線。
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