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記者洪友芳／專題報導
行動裝置產品朝向快速、省電需求發展，新世代記憶體技術再度受矚目，其中磁性記憶體（Magnetic Random Access Memory，MRAM）能否克服技術瓶頸，進入量產，一直被拭目以待。
工研院指出，目前已被使用的各種記憶體，從容量到速度各有不同的特性與定位。例如硬碟（HDD）儲存容量高，並具有資料儲存後不會因電力中斷而流失的非揮發性，但存取速度慢，限制整體系統的效能，即使運用快閃記憶體技術來加速的固態硬碟（SSD），與揮發性的DRAM存取速度比較，仍相對較慢。
工研院開發的MRAM，採垂直式自旋技術，利用階梯狀結構，並以垂直磁化材料取代傳統的水平磁化材料，可在元件不斷縮小的情形下，達到降低寫入電流密度、維持高的熱穩定性，成功解決「元件變小時容易導致記憶體失效」的技術瓶頸；具有非揮發性、讀寫速度快、無限次讀寫、低耗能等優點，相關研究成果更獲接受在2012年國際電子元件大會（IEDM）發表，獲得國際肯定。
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