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〔記者洪友芳／新竹報導〕晶圓代工大廠聯電（2303）昨宣布將加入IBM技術開發聯盟，共同開發10奈米CMOS製程技術。聯電預計明年底研發完成核心技術，進一步在南科廠開發製程技術。
隨著先進製程投入研發費用越趨昂貴，世界半導體廠紛選擇合作開發技術，IBM技術開發聯盟成員包括格羅方德、ST、三星等等，聯電繼去年與IBM簽署14奈米FinFET合作研發協議，再延伸到10奈米技術合作開發。
聯電執行長顏博文表示，聯電將指派工程團隊加入IBM位於美國紐約州阿爾巴尼的10奈米研發計畫，聯電14奈米FinFET與10奈米未來的製造，將於南科廠研發中心進行。
顏博文日前指出，聯電在28奈米以下的先進製程投入相當多研發資源，去年研發費用支出達93億元，並陸續完成28奈米相關製程的準備工作，合作客戶及產品數量顯著增加，下半年可望貢獻營收。
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