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根據研調機構集邦（TrendForce）最新調查顯示，DRAM和NAND Flash產業的投資重心放在製程升級等，將導致供應位元增幅有限，預計供不應求市況將延續明年全年。（彭博資料照）
資本支出聚焦製程升級 位元產出成長挹注有限
〔記者洪友芳／新竹報導〕根據研調機構集邦（TrendForce）最新調查顯示，隨著記憶體平均銷售價格（ASP）持續提升，供應商獲利也有所增加下，DRAM與NAND Flash後續的資本支出將會持續提高，預估約各年增14%、5%，這幅度對2026年位元產出成長挹注有限，預計供不應求市況將延續2026年全年。
TrendForce指出，DRAM和NAND Flash產業的投資重心正逐漸轉變，從單純的擴充產能，轉向製程技術升級、高層數堆疊、混合鍵合以及HBM（高頻寬記憶體）等高附加價值產品。其中，DRAM產業今年資本支出估將達到537億美元，預計2026年進一步成長至613億美元，年增14%；NAND Flash資本支出今年約211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，年增約5%。
TrendForce分析，在DRAM各供應商中，美光估2026年資本支出達135億美元，年增23%，主要專注於1 gamma製程滲透和TSV設備建置，最快2027年才能有產出；SK海力士預計2026年資本支出為205億美元、年增17%，以應對M15x的HBM4產能擴張；三星預計投入200億美元、年增11%，用於HBM的1C製程滲透及小幅增加P4L晶圓產能。三大廠即使上修資本支出，預期對2026的位元產出貢獻皆非常有限。
TrendForce分析，NAND Flash需求爆發，主要受AI對儲存容量需求的急速攀升，以及HDD供應不足導致雲端服務供應商（CSP）轉單所帶動，此現象屬於結構性短缺，而非短暫的市場波動。過去數年產業經歷多次景氣循環，使部分廠商在資本支出與擴產策略上趨於保守，隨著2026年資本支出重心放在製程升級等，將導致供應位元增幅有限，預期NAND Flash市場的供不應求也將延續到2026年全年。
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