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記憶體廠華邦電昨召開法說會，預期第四季DRAM平均售價與出貨量都將迎來更大幅成長。（記者洪友芳攝）
DDR3、DDR4結構性缺口 將使漲價延續到2026年
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體廠華邦電（2344）昨召開法說會，總經理陳沛銘展望營運樂觀，預期第四季DRAM平均售價與出貨量都將迎來更大幅成長，明年市場需求健康，因結構性供應缺口，正推動DDR4、DDR3合約價持續上漲，漲勢預期延續至2026年，甚至可能到2027年也供不應求；NOR快閃記憶體與SLC NAND價格也預期續上漲。
華邦電第三季稅後淨利達29.43億元，每股稅後盈餘0.65元，第三季記憶體毛利率更達50.8%；陳沛銘表示，記憶體售價回升及庫存評價回沖挹注，帶動上季毛利率與獲利提高，第四季即使一次性回沖很少，但預估營收將大幅成長，獲利也可望維持相當水準。
陳沛銘強調，這波DRAM結構性缺貨跟以前不同，以前景氣循環推升漲價可能6到9個月就結束，這次結構性供應缺口在於傳統的DRAM技術標準與AI需求的先進製程DRAM不同，三大廠難回頭生產傳統的DDR3、DDR4，缺口會持續多久，他目前也難判斷，還要看國際情勢等變數而定。目前DDR4在整體DRAM佔比約27%，儘管DDR5價格已相對較低，但許多應用仍持續尋求DDR4，難轉用DDR5。
在快閃記憶體方面，陳沛銘指出，基於原物料成本上升及終端需求回溫，NOR快閃記憶體價格自今年第三季起上漲，預期將持續上漲；SLC NAND的供給在接下來幾個季度仍將吃緊，預估也將推升價格進一步上漲。成長動能來自車用、筆電、伺服器、無線耳機等。
在DRAM產品線方面，陳沛銘表示，伴隨主要大廠逐步退出DDR4供給，現有產能不足以滿足市場長期需求，包括機器人、無人機、網通與消費性產品等，供需失衡狀態將使華邦電受益。
華邦高雄廠16奈米製程DRAM已完成試產前準備，預估將增加60%產能，8Gb DDR4/LPDDR4產品線預期2026年量產，快閃記憶體約擴增20%；預估Flash與DRAM擴產計畫正進行中，2026～2027年資本支出將近400億元。
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