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經濟部近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」，鎖定協助國內業者加速開發八吋碳化矽設備技術。（資料照）
〔記者廖家寧／台北報導〕為逐步建置我國化合物半導體設備的自製能力，經濟部近期公告「化合物半導體設備發展推動計畫」，鎖定協助國內業者加速開發八吋碳化矽設備技術，計畫申請期限至今年五月三十一日；另，零組件採國產比率達八十％，核定補助款可額外加碼最高二十％。
經濟部指出，碳化矽（SiC）化合物半導體具有高硬度及高熔點特性，目前生產碳化矽晶圓所需的超高溫長晶設備皆仰賴國外大廠，國內雖已具備四吋及六吋化合物半導體長晶設備的研發與生產經驗，但設備自製率、生產良率都偏低；除了長晶設備外，國內在晶圓加工、元件製作等製程設備皆存在技術瓶頸。
產發署表示，有鑑於國外碳化矽主導廠商已投入八吋碳化矽相關設備技術研發，因此協助國內潛力廠商加速部署是首要目標，其次是針對關鍵製程設備輔以單點突破，逐步建置國內化合物半導體設備自製能力。
補助對象針對國內化合物半導體下游產業「碳化矽元件製造產線」設備具整機開發能力的業者，提供設備研發或改造、整機系統整合、品質驗證及可靠度測試過程的費用補助。
設備補助類型分為B類及C類，其中B類適用於六、八吋碳化矽晶圓通用的高溫離子佈植設備，補助以一億元為上限；C類適用於六、八吋通用的化合物半導體in-line的晶片製程或上游晶錠加工設備，每案以單一企業提出申請，補助經費以三五○○萬元為上限。
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