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自中國返回南韓的兩名前三星電子員工已遭逮捕，被捕的理由是涉嫌洩漏三星十六奈米DRAM技術給中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT），導致三星蒙受巨大損失。（法新社）
洩漏16奈米DRAM技術 賺取數百萬美元報酬
〔編譯盧永山／綜合報導〕外媒Tom’s Hardware報導，今年稍早自中國返回南韓的兩名前三星電子員工已遭逮捕，被捕的理由是涉嫌洩漏三星十六奈米DRAM技術給中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT），導致三星蒙受巨大損失。
報導指出，金姓和方姓兩名前三星員工數年前加入長鑫存儲，將三星十六奈米DRAM技術的智財權全部外洩給長鑫存儲，賺取數百萬美元報酬。
南韓國家情報院（NIS）今年向檢方通報此案，並要求調查；二嫌今年十月返回南韓後，首爾檢方上週以違反南韓「預防和保護工業技術洩漏法」的罪嫌，將兩人逮捕並拘留。
南韓檢方表示，金姓男子曾任三星主管，二○一六年退休後前往長鑫存儲工作；金男涉嫌洩漏與半導體沉積技術相關的經驗和技術，以獲取高達數百萬美元的年薪。方姓男子則是前三星分包商。
三星損失552億 追查另7種技術外洩
檢方指出，三星因十六奈米DRAM技術外洩，至少損失約二．三兆韓元（約五五二億台幣），而長鑫存儲和三星的技術差距則因此拉近不少。
NIS和檢方初步的調查側重於半導體沉積技術，但將進一步調查另外七種核心製程技術是否也遭外洩。
三星目前控制全球約四十％的DRAM市場，大規模技術外洩恐成該公司維持霸主地位的重大隱憂。NIS的報告指出，過去五年南韓晶片技術外洩事件增加四倍。
長鑫存儲則聲明，公司尊重智財權，並有健全機制防止員工洩漏第三方資訊，但拒絕評論此洩密案。
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