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被稱為「台版晶片法」的「產業創新條例」第10條之2，子法昨日預告，研發費用門檻訂為60億元、研發密度須達6％、先進製程設備購置支出門檻100億元。示意圖。（歐新社檔案照）
〔記者廖家寧／台北報導〕被稱為「台版晶片法」的「產業創新條例」第十條之二，子法昨日預告，研發費用門檻訂為六十億元、研發密度（研發支出占營收淨額比率）須達六％、先進製程設備購置支出門檻一○○億元。經濟部表示，子法草案自五月一日起預告三十日，期間綜整各界意見後將儘快與財政部發布，以利企業明年開始申請適用。
根據「產創條例」第十條之二規定，投資抵減項目有兩種，一是前瞻創新研發支出的二十五％，可抵減當年度營所稅；二是購置用於先進製程設備支出的五％，可抵減當年度營所稅，且設備購置支出金額無上限。不過，單項抵減不得超過當年度營所稅額三十％，兩者合計不得超過五十％。
經部：適用對象不限半導體產業
經濟部表示，考量國家關鍵產業發展、兼顧稅制穩定的前提下，與財政部協商後訂出子法草案，規劃研發費用六十億元、研發密度達六％、購置用於先進製程的設備支出達一○○億元為申請門檻，期能鼓勵公司深耕台灣，加碼投資。
經濟部說明，相關門檻的訂定，主要考慮業界實況，希望促使已接近適用門檻的業者，更能擴大研發，以適用租稅優惠。另外，由於母法中已訂定有效稅率十二％、未來十五％的基礎，也可促使未達此稅率基礎的業者努力達成，穩定國家稅收。
經濟部表示，「產創條例」第十條之二適用對象不限半導體產業，凡是技術創新且居國際供應鏈關鍵地位者，符合要件也可適用，如電動車、5G、低軌衛星等；此外，未符合前述適用條件的公司，也可申請「產創條例」第十條研發投資抵減及第十條之一智慧機械投資抵減。
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