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美國補貼性的晶片法案將限制獲補助的公司，在補助期間不得在中國投資28奈米以下製程技術，預估此加碼限制條款將導致美中科技對峙風險升溫。（路透）
〔記者洪友芳／新竹報導〕美國補貼性的晶片法案進入倒數計時，待總統拜登簽署後即可正式生效。研調機構集邦科技（TrendForce）指出，該法案擬針對獲美國國家補貼的公司，限制獲補助期間不得在中國投資二十八奈米以下製程技術，以確保該法案對美國半導體產業競爭力的保護，預估此加碼限制條款將導致美中科技對峙風險升溫。
TrendForce表示，美國晶片法案不僅涵蓋晶圓製造研發與建廠補助、稅務優惠補貼等，也提出附加限制條款，擬針對獲美國國家補貼的公司，獲補助期間不得在中國投資二十八奈米以下製程技術。
TrendForce認為，目前同時在美國、中國投資擴產／投資建廠的半導體公司僅有台積電與三星，法案如何限制兩家業者在中國的投資值得持續關注。
美國未來三年將提升先進製程產能占比，中國則以成熟製程為主軸，台積電與三星赴美投資設廠為五奈米先進製程，在中國擴產大多是二十八奈米或以上的成熟製程。
TrendForce分析，美國已禁止先進製程設備銷售給中國，多數中國晶圓代工廠只能擴產二十八奈米及以上的成熟製程技術，同時中國也積極培植國產半導體設備，企圖達成非美系製造生產線；現階段美系設備商仍掌握部分半導體製程關鍵機台，尤其在七奈米以下先進製程仍必須採用美系設備才能製造，短期內要達成非美系生產線的難度相當高。
TrendForce表示，中芯國際近期雖被曝光運用深紫外光（DUV）微影設備成功量產七奈米製程挖礦相關晶片，若用到生產邏輯晶片的良率與成本就很不划算，且美國恐因此再擴大對中國管制DUV微影機台設備，若遊說成功，不僅影響中國往七奈米及以下先進製程研發推進的可能性，同時也將衝擊四十、二十八奈米擴產，將對目前中國半導體擴產主力製程四十、二十八奈米造成極大影響。
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