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中國將化合物半導體取名為「第三代半導體」，並透過政策砸大錢補助發展，希望急起直追並躍為領導者。（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕台灣與中國半導體業對專有名詞存在不同叫法，除「曝光機」被同化為「光刻機」外，當紅炸子雞的化合物半導體也是一例，中國取名為「第三代半導體」，主因中國在第一代、第二代發展落後國際，企圖另稱第三代半導體，希望急起直追躍為領導者，但實際上還無法實現。
工研院資深技術專家吳志毅表示，化合物半導體早於四十、五十年前就開始發展，目前全球最大的碳化矽（SiC）廠商為美國科銳（Cree），三十年前就從應用國防戰車高功率晶片切入化合物半導體領域。
比起半導體一直以來的矽材料晶片，化合物半導體以氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）為主；吳志毅表示，化合物半導體具備高速、高頻、耐高電壓的性能，碳化矽、氮化鎵因適用在高頻無線通訊５Ｇ、高功率轉換的電動車等，而成為半導體業熱門投資的新興領域。
不過，吳志毅指出，因中國在以矽為主的第一代半導體、在應用光纖的砷化鎵（GaAs）及磷化銦（InP）的第二代半導體落後國際，因此將化合物半導體另取名為「第三代半導體」，並透過政策砸大錢補助發展，希望急起直追並躍為領導者；台灣產官學界不應跟著中國將碳化矽、氮化鎵喊成「第三代半導體」，應正名為化合物半導體。
其他半導體專有名詞也存在很多翻譯的差異，例如台灣講IC產業、中國稱集成電路產業；台灣稱晶片、中國叫芯片；台灣一般講矽晶圓，中國稱硅片；台灣常說的半導體製程，中國稱為工藝等。
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