晴時多雲

旺宏斥資415億 擴產3D NAND快閃記憶體

2021/07/28 05:30

旺宏總經理盧志遠表示,旺宏研發發的3D NAND快閃記憶體,預計今年第4季量產。(旺宏提供)

〔記者洪友芳/新竹報導〕記憶體大廠旺宏(2337)昨召開法說會,總經理盧志遠宣布,公司投入十多年研發的3D NAND(儲存型)快閃記憶體已大有成果,預計今年第4季量產,因獲國際策略性客戶青睞,旺宏將立即啟動擴產計畫,董事會昨核准投資415億元在12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房進行擴產,這對旺宏是重要的里程碑。

3D NAND快閃記憶體為立體堆疊技術,較目前平面式2D的技術門檻高很多,全球有3D NAND快閃記憶體技術能力者為三星、SK海力士、美光、鎧俠,旺宏從2007年開始投入研發,近5年逐漸開發出產品技術並即將量產,非常不容易,這也是台灣第一家成功研發出3D NAND快閃記憶體技術的廠商,代表旺宏長期深耕技術的成果,已經與國際大廠並駕齊驅。

盧志遠說,旺宏投入3D NAND快閃記憶體已有成果,4月間已將48層(相當於10奈米)的產品送策略性客戶認證,將於第4季量產約5千片/月產能,出貨對象即合作多年的策略性客戶,96層(相當於7或5奈米)的3D NAND明年可望有機會量產,也是賣給策略性客戶,192層(相當於3奈米)預計最快為2023年。

預計2-3年填滿產能

他表示,因策略性客戶有大量需求,旺宏也決定啟動擴產計畫,昨獲董事會核准投資415億元擴產12吋晶圓廠Fab 5B既有廠房,預計明年第1季完成Fab 5B無塵室、運送天車等設施,2022年底投產,2023年初可望貢獻營收。

盧志遠表示,旺宏預計最快以2-3年完成415億元投資支出、慢則4-5年,看客戶需求與市場變化而定;預計量產後最快2-3年就可填滿產能,盧志遠強調,這項投資「不會使旺宏毛利率受傷」。

旺宏第2季受惠產品價量齊揚,毛利率達39.1%,創12季以來單季新高,稅後淨利為19.25億元,季增1.1倍、年增45%,每股稅後盈餘1.04元,創10季以來新高。第3季是旺季,唯讀式記憶體(ROM)成長性將最大,NOR、NAND快閃記憶體需求也看好,旺宏對第3季、第4季營運展望樂觀。

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