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據日本Mynavi News網站報導，荷蘭半導體設備大廠ASML已能開發一奈米製程的曝光設備。（路透）
〔編譯盧永山／綜合報導〕據日本Mynavi News網站報導，日前在東京落幕的二○二○年IMEC科技論壇，比利時半導體研究機構IMEC正式公布與荷蘭半導體設備大廠艾斯摩爾（ ASML）合作研發的新一代高解析度EUV曝光技術（ High NA EUV）；根據公布內容，ASML對三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小於一奈米製程，都做了清楚發展規劃，顯示ASML已能開發一奈米製程的曝光設備。
摩爾定律（Moore’s law）指的是積體電路上可容納電晶體數目，約每隔十八個月增加一倍、性能也提升一倍，近幾年來因電晶體尺寸縮小速度趨緩，業界對摩爾定律是否已到盡頭爭論不斷。
最快二○二二年商業化
IMEC執行長范登霍夫（Luc Van den Hove）透露，該機構與ASML共同開發High NA EUV已取得突破，即使製程到達一奈米甚至更小，製程微縮化仍會繼續，摩爾定律並不會停下來；IMEC也在論壇上公布三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至小於一奈米的邏輯元件製程微縮路線圖。
晶圓代工大廠台積電和三星電子要投入二奈米以後的超精細製程，亟需高解析度及高曝光設備；ASML已完成高NA EUV曝光設備的基本設計，型號為NXE5000系列，商業化時間預定最快在二○二二年左右，這套新一代曝光設備將因龐大的光學系統而變得非常巨大。
范登霍夫指出，邏輯元件製程微縮的目的在於降低功耗、提高效能、減少面積以及降低成本；隨著製程向三奈米、二奈米、一．五奈米、甚至到一奈米以下發展，他們將繼續開發微縮製程技術，以滿足對未來先進科技應用的需求。
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