晴時多雲

挑戰摩爾定律極限 ASML開發1奈米製程曝光設備

2020/12/02 05:30

據日本Mynavi News網站報導,荷蘭半導體設備大廠ASML已能開發一奈米製程的曝光設備。(路透)

〔編譯盧永山/綜合報導〕據日本Mynavi News網站報導,日前在東京落幕的二○二○年IMEC科技論壇,比利時半導體研究機構IMEC正式公布與荷蘭半導體設備大廠艾斯摩爾( ASML)合作研發的新一代高解析度EUV曝光技術( High NA EUV);根據公布內容,ASML對三奈米、二奈米、一.五奈米、甚至小於一奈米製程,都做了清楚發展規劃,顯示ASML已能開發一奈米製程的曝光設備。

摩爾定律(Moore’s law)指的是積體電路上可容納電晶體數目,約每隔十八個月增加一倍、性能也提升一倍,近幾年來因電晶體尺寸縮小速度趨緩,業界對摩爾定律是否已到盡頭爭論不斷。

最快二○二二年商業化

IMEC執行長范登霍夫(Luc Van den Hove)透露,該機構與ASML共同開發High NA EUV已取得突破,即使製程到達一奈米甚至更小,製程微縮化仍會繼續,摩爾定律並不會停下來;IMEC也在論壇上公布三奈米、二奈米、一.五奈米、甚至小於一奈米的邏輯元件製程微縮路線圖。

晶圓代工大廠台積電和三星電子要投入二奈米以後的超精細製程,亟需高解析度及高曝光設備;ASML已完成高NA EUV曝光設備的基本設計,型號為NXE5000系列,商業化時間預定最快在二○二二年左右,這套新一代曝光設備將因龐大的光學系統而變得非常巨大。

范登霍夫指出,邏輯元件製程微縮的目的在於降低功耗、提高效能、減少面積以及降低成本;隨著製程向三奈米、二奈米、一.五奈米、甚至到一奈米以下發展,他們將繼續開發微縮製程技術,以滿足對未來先進科技應用的需求。

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