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國際現場》三星2021推GAA晶片 超越台積電


2019-05-16 06:00

三星儲存型快閃記憶體(NAND flash)晶圓片展示。(美聯社)

〔編譯楊芙宜/綜合報導〕三星14日在美國加州的晶圓論壇上宣布,計畫將在2021年推出突破性3奈米製程技術閘極全環(Gate-all-around, GAA)的晶片產品。GAA被稱為當前鰭式場效電晶體(FinFET)技術進化版的生產技術,能對晶片核心的電晶體展開重新設計和改造,使其更小更快。三星希望藉此晶圓製程新技術爭取蘋果、高通、超微(AMD)等大廠合作,進一步趕超台積電(2330)、英特爾。

美國總統川普(右)與中國國家主席習近平(左)。(美聯社檔案照)

三星在加州論壇上表示,相較於目前7奈米製程的晶片產品,GAA處理器技術可提高運算效能35%、節省電力50%、晶片面積減少45%;3奈米GAA製程技術研發目前依照進度進行,4月已向顧客釋出製程設計套件(PDK)0.1版。顧問機構國際商業策略(International Business Strategies)執行長瓊斯(Handel Jones)評估,三星在GAA技術上,大概領先台積電約12個月,領先英特爾約2~3年。

台積電日前已宣布,將於2020年量產5奈米製程。三星極力追趕當前7奈米製程落後於台積電的情況。三星上月已宣布,將大幅投資近1160億美元,以擴大非記憶體晶片和晶圓代工的業務。



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