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南亞科（資料照）
〔記者洪友芳／新竹報導〕記憶體經過去年飆漲後，業界認為，今年仍為記憶體的好年，包括DRAM、FLASH需求持續走旺，價格也會處於居高不下的狀態，唯整體而言，炒作的激情會較去年退卻。
中國廠商僅能量產低階產品
半導體業界表示，中國無法取得DRAM技術來源，在NAND與NOR FLASH也僅能量產低階的產品，充其量只能達擾亂市場作用，整體記憶體市場仍處於供不應求的走勢，今年對記憶體而言仍是樂觀看待的好年。
南亞科（2408）預估今年整體DRAM位元需求將增約20~25%，伺服器將是驅動DRAM需求成長的一大動能，加上高階手機搭載DRAM容量攀升、冬季奧運等運動賽事也將帶動電視與機上盒等需求增加，支撐今年市況仍樂觀。
首季行動DRAM合約價小漲
市場調查指出，智慧型手機品牌大廠下修生產數量，造成零組件庫存水位提高，影響第1季行動DRAM平均合約價僅小幅上漲約3%，第2季預期非蘋陣營新款旗艦機將帶動拉貨動能，搭載容量提高，有助第2季行動DRAM合約價有機會小漲。
在NAND FLASH產品上，長江存儲的武漢生產基地預計今年下半年開始營運，初期投產32層的3D-NAND FLASH產品，英特爾大連廠2期計畫今年底倍增3D-NAND FLASH產能，三星、SK海力士也規劃建96層以上3D-NAND FLASH新廠，但預期今年價格仍處於平穩期，明年以後的3D-NAND FLASH市況恐會供過於求。
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