晴時多雲

衝記憶體產能 海力士砸27億美元建廠

2016/12/23 06:00

南韓記憶體大廠SK海力士週四表示,由於行業整體需求大幅增加,將在中國、南韓2地擴產,投資規模達3.16兆韓元。圖為位於京畿道城南市的SK海力士總部。(路透)

〔編譯王惠慧/綜合報導〕全球第2大記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)週四表示,由於行業整體需求大幅增加,將在中國、南韓2地投資3.16兆韓元(約27億美元),用於興建南韓新工廠及中國無錫市的工廠擴產。

路透報導,SK海力士此次的投資,大部分將用於興建新的生產儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的工廠;由於行動設備記憶體容量持續擴充,加上個人電腦、資料庫伺服器紛紛採用固態硬碟(SSD),使得NAND Flash需求量暴增,SK海力士的競爭對手三星電子及日本東芝(Toshiba)也正提高他們的產能。

SK海力士在聲明中指出:「3D NAND技術將帶來更大的NAND Flash市場,為求更進一步的發展,提前確保生產設備非常重要。」根據該公司的計畫,2.2兆韓元將用於位於南韓的新NAND Flash工廠,另外9600億韓元則用於中國無錫市的工廠,提高DRAM的產能。

路透報導,近來市場對記憶體的需求暴增,推升上述公司股價,也可望帶來獲利。SK海力士股價今年以來已上漲約49%,取得2009年以來最大幅度的成長,週四SK海力士股價上漲1.11%、收在4萬5500韓元;東芝今年以來股價已成長逾78%,並表示年度獲利受到NAND Flash強勁需求提振,將超越預期。

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