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ASML 高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）產品管理副總裁 Greet Storms（ASML提供）
〔記者林薏茹／台北報導〕微影設備龍頭艾司摩爾（ASML）今（1）日於SEMICON Taiwan 2026先進製程科技論壇公布High NA EUV最新進展，全球EXE系統累計曝光晶圓數已突破135萬片，目前已有4家客戶完成共10台High NA EUV裝機並投入運作，另有3台系統正在出貨及裝機。ASML表示，High NA EUV正加速邁向高量產（High Volume Manufacturing；HVM）階段，並已首度導入高量產邏輯產品。
ASML指出，隨著客戶持續增加High NA EUV使用量，系統學習及高量產準備也同步加速。其中，經認證的EXE:5200B在驗收測試中已達到每小時135片晶圓（WPH）的生產力，具備支援高量產的能力；在機台間疊對精度（overlay）、對焦表現及整體機台性能方面，也已展現符合量產環境需求的表現。
目前全球High NA EUV機隊可用率（fleet availability）已提升至84%，ASML後續將持續朝93%的目標改善。ASML也將既有NXE平台累積的經驗導入EXE系統，包括強化診斷能力，避免相同問題持續發生，以進一步提升系統穩定性。
在製程應用方面，ASML表示，High NA EUV已達成重要里程碑，首次應用於高量產邏輯產品。High NA被視為先進半導體製造的重要微影技術，透過0.55 NA更高的解析能力，可持續支援製程微縮；在2D DRAM微縮方面，High NA EUV的成像能力可支援未來最多5個製程節點的技術延伸。
ASML指出，High NA EUV搭配相關關鍵技術後，可增加採用0.55 NA單次曝光圖形化的製程層數，透過單次曝光取代較複雜的多重曝光製程，有助降低先進製程的複雜度與成本，同時支援更小線距的持續微縮，在先進製程節點兼顧製程能力與經濟效益。
除了微影解析度提升，High NA EUV也為晶片設計帶來新的空間。ASML表示，更高的解析能力可提升邏輯單元密度，進一步支援邏輯製程微縮。
ASML技術路線圖顯示，目標本十年結束前，將EXE系統驗收測試的生產力由目前每小時135片晶圓提升至180片，相關技術發展將包括提升晶圓層級的EUV光源功率，以及加快晶圓與光罩的搬運速度。
ASML表示，公司已建立0.55 NA EUV長期技術路線圖，High NA EUV平台預計可提供超過10年的穩定系統架構，並持續透過生產力提升延伸系統能力。隨著全球裝機數及客戶使用量增加，High NA EUV正逐步從技術驗證進入實際量產應用，支援未來先進邏輯及記憶體製程微縮。
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