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消息人士稱，SK擬委由英特爾代工新一代HBM的基礎裸晶。（路透）
〔編譯魏國金／台北報導〕韓國媒體「先驅商業」（Herald Business）31日報導，消息來源指出，SK海力士已考慮委託英特爾代工其第7代高頻寬記憶體HBM4E的基礎裸晶（base die），迄今SK海力士完全依賴台積電生產基礎裸晶。
報導說，業界人士31日透露，SK海力士正尋求與英特爾及台積電合作，生產用於HBM4E的基礎裸晶。一些分析師指出，此舉旨在打造多元的供應結構，突破目前集中於台積電的供應鏈格局，並強化SK海力士在談判中的議價能力。
基礎裸晶位於高頻寬記憶體（HBM）疊層底部，支撐並控制整個結構，也稱之為邏輯裸晶。其負責處理連接外部處理器，比如繪圖處理器（GPU）與中央處理器（CPU）與上方HBM記憶體的高速介面。
直至HBM3E，SK海力士都是採用自家技術生產基礎裸晶，然而隨著HBM的世代推進，基礎裸晶的邏輯功能與效能要求也逐漸提高，致使該公司從HBM4開始，與台積電合作生產基礎裸晶，目前HBM4的量產採用的是台積電12奈米級製程的基礎裸晶。
業界消息來源說，基礎裸晶的成本負擔是關鍵疑慮。對於HBM4而言，台積電的基礎裸晶價格是核心裸晶3至4倍。堆疊在基礎裸晶之上，直接儲存資料的DRAM核心裸晶是SK海力士採用自家10奈米級第5代製程生產。HBM4E的推出預料將進一步增加成本負擔，由於HBM銷售主要依賴長期供應合約，因此將代工成本直接轉嫁於產品價格上並不容易。
業界人士說，如果英特爾加入基礎裸晶的供應鏈，SK海力士將在成本與供應穩定性上取得更多選擇。
此舉也被視為降低長期依賴以台積電為中心的供應鏈之戰略決定。隨著客製化HBM從HBM4開始越來越重要，SK海力士必須擴展其與更多AI晶片公司合作的選項，而非僅依賴單一客戶或代工生態系。
也有臆測指出，未來與英特爾的合作可能超越基礎裸晶的生產，而擴大至先進封裝。SK海力士先前表示，該公司正比較與分析主要的先進封裝方式，包括台積電的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特爾的EMIB。
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